Infineon Technologies Commutateurs CoolGaN™ Drive HB 600 V G5

Les commutateurs CoolGaN™ Drive HB 600 V G5 d’Infineon Technologies intègrent un étage de puissance à demi-pont doté de deux commutateurs CoolGaN en mode amélioré de 600 V avec des options de résistance à l'état passant de 140 mΩ, 270 mΩ ou 500 mΩ. Ces commutateurs incluent des commandes de grilles intégrées et sont livrés dans un boîtier compact TFLGA-27 de 6 mm × 8 mm. Conçus pour des applications à faible/moyenne puissance, ces commutateurs sont idéaux pour les entraînements à moteur haute densité et les alimentations à mode commuté (SMPS), tirant parti des performances de commutation supérieures de la technologie CoolGaN. Les commutateurs CoolGaN d'Infineon disposent d'une structure de grille robuste qui assure une résistance à l'état passant minimale lorsqu'ils sont pilotés par un courant de grille continu de seulement quelques milliampères dans l'état “passant”.

En raison de la faible tension de seuil du GaN et des transitoires de commutation rapides, certaines applications nécessitent une tension de commande de grille négative pour permettre une extinction rapide et éviter la conduction croisée. Cela est facilement mis en œuvre en utilisant une interface RC standard entre le pilote et le commutateur, avec seulement quelques résistances et condensateurs CMS externes nécessaires pour l’adaptation à diverses topologies de puissance.

Le pilote intégré, construit sur la technologie SOI d'Infineon, offre une robustesse et une immunité au bruit exceptionnelles tout en maintenant l'exploitation logique à des tensions de grille négatives. Un canal flottant prend en charge l’entraînement de la puce GaN côté haut avec une configuration d'amorçage intégrée.

Caractéristiques

  • Deux commutateurs GaN de 140 mΩ, 270 mΩ ou 500 mΩ dans une configuration à demi-pont avec des commandes de grilles intégrées côté haut/bas
    • Courants de pilotage source de +0,29 A et dissipateur de -0,7 A
    • Vitesse d'allumage et d'arrêt configurable par application
    • Diode d'amorçage ultra-rapide et à faible résistance intégrée
  • Propagation d’entrée-sortie standard rapide de 98 ns avec une désadaptation canal-à-canal extrêmement faible
  • Signal d’entrée MLI
  • Topologies de puissance de convertisseur à deux niveaux monophasé ou multiphasé
  • Niveaux d'entrée logiques standard compatibles avec les contrôleurs numériques
  • Tension d'alimentation standard de pilotes de grille unique de 12 V avec récupération UVLO rapide
  • Côté bas open source pour la détection de courant avec une résistance shunt externe
  • Boîtier TFLGA-27 de 6 mm x 8 mm thermiquement amélioré
  • Entièrement qualifié selon JEDEC pour les applications industrielles
  • Sans halogène et Conforme à la directive RoHS

Applications

  • Entraînements à moteur de faible puissance
  • Alimentations en mode commuté (SMPS) de faible puissance

Caractéristiques techniques

  • Plage de tensions de sortie côté bas de 10 V à 20 V
  • Plage de tension d'alimentation du puits flottant côté haut 10 V à 20 V
  • Courant de grille continu maximum de 2,6 mA à 7,7 mA
  • Tension maximum de 600 V entre les PINS de sortie DH, SW et SL
  • Tension 750Drain-to-source pulsée tension drain-source maximum pulsée
  • Plage de courant de drain continu maximum de 3,0 A à 6,0 A à +25 °C
  • Plage de courant de drain par impulsion maximum allant de 6,7 A à 23 A à +25 °C
  • Résistance thermique
    • Jonction-boîtier standard de 7,7 °C/W
    • Jonction-ambiante de 52 °C/W, dispositif GaN à 4 couches
  • Plage de température maximale de jonction de -40 °C à +150 °C
  • Température de soudage maximale de +260 °C
  • Classes DES
    • Modèle corps humain (HBM) 1C
    • Modèle de dispositif chargé (CDM) C3

Circuit de configuration standard

Schéma du circuit d'application - Infineon Technologies Commutateurs CoolGaN™ Drive HB 600 V G5

Schéma fonctionnel étage de puissance

Schéma de principe - Infineon Technologies Commutateurs CoolGaN™ Drive HB 600 V G5
Publié le: 2025-12-12 | Mis à jour le: 2025-12-23