Infineon Technologies Transistors de puissance en mode E 600 V CoolGan™
Les transistors de puissance CoolGan™ 600 V e-mode (mode d'amélioration) d'Infineon Technologies permettent des topologies de demi-pont plus simples avec des vitesses de mise sous tension et de coupure rapides. Les transistors robustes et fiables sont disponibles dans des boîtiers CMS hautes performances pour exploiter pleinement les avantages du GaN. Les transistors présentent une haute efficacité, une haute densité de puissance, une capacité de fréquence de fontionnement supérieure et des EMI réduites. Les applications comprennent les SMPS de télécommunications / datacom / serveur, le chargement sans fil, les chargeurs et les adaptateurs.
Caractéristiques
- Transistor à mode amélioré, commutateur normalement éteint
- Commutation ultra-rapide
- Aucune charge de récupération inverse
- Capable de conduction inverse
- Faible charge de grille, faible charge de sortie
- Robustesse de commutation supérieure
- Améliore l'efficacité du système
- Améliore la densité de puissance
- Permet des fréquences de fonctionnement plus élevées
- Réduction des coûts système
- Réduit les EMI
- Boîtiers disponibles
- DSO-20-85 ou DSO-20-87
- LSON-8-1
- Qualifié pour les applications industrielles conformément aux normes JEDEC (JESD47 et JESD22)
- Sans plomb, sans halogène et conforme à la directive RoHS
Applications
- Industriel
- Télécommunications
- SMPS de centre de données basé sur la topologie demi-pont
Caractéristiques techniques
- Tension drain-source continue maximale de 600 V
- Tension de rupture drain-source destructrice minimale de 800 V
- Tension drain-source pulsée
- 750 V maximum à +25 °C
- 650 V maximum à +125 °C
- Surtension de commutation pulsée maximale 750 V
- Plage de courant continu drain-source maximale de 14 A à 31 A
- Courant drain-source pulsé
- 60 A maximum à +25 °C
- 35 A maximum à +125 °C
- Courant de grille continu maximal de 20 mA
- Courant de grille pulsé maximal de 2 000 mA
- Tension grille-source continue minimale de -10 V
- Tension grille-source pulsée minimale de -25 V
- Dissipation de puissance maximale de 114 W ou 125 W
- Taux de dérive drain-source maximal de 200 V/ns
- Plage de température de fonctionnement : de -55 °C à +150 °C
Ressources supplémentaires
HEMT associés
Infineon Technologies HEMT au nitrure de gallium CoolGaN™
Offre d'excellents avantages en matière de rendement, de fiabilité, de densité de puissance et de qualité.
Infineon Technologies Étages de puissance intégrés 25 V CoolGaN™
Combine un étage de puissance à demi-pont avec 2 HEMT CoolGaN à mode d'amélioration, dans un petit boîtier QFN-28.
Publié le: 2023-02-13
| Mis à jour le: 2023-09-08