Infineon Technologies Dispositifs à mémoire non volatile F-RAM sérielle
La mémoire F-RAM (RAM ferroélectrique) en série de Cypress Semiconductor combine la capacité de stockage de données non volatile de la ROM avec la rapidité de la RAM. La F-RAM en série comprend plusieurs options d'interfaces et de densités, notamment les interfaces SPI et I2C, des boîtiers standard du secteur et des densités allant de 4 kbits à 2 Mbits. Les F-RAM en série Cypress ont trois avantages distinctifs sur les autres technologies de mémoire non volatile : une vitesse d'écriture rapide, une endurance extrêmement élevée et une faible consommation d'énergie.
The devices are made of a ferroelectric material that is highly resistant to influence by radiation and magnetic field exposure. This provides soft error rate immunity for a superior alternative to MRAM. These F-RAM devices are typically used in mission-critical applications. This includes smart meters, automotive electronics, industrial control, and automation equipment, multifunction printers and portable medical devices.
Caractéristiques
- Fast write speed with no write delays
- Instant non-volatility
- 100 trillion cycles read/write endurance
- Low 3mA active current and 6µA standby current
- No batteries or capacitors required
- No wear leveling required
- Intrinsic gamma radiation tolerance
- 151-year data retention
- Automotive AEC-Q100 qualified parts available
Applications
- Mission-critical applications
- Smart meters
- Automotive electronics
- Industrial control and automation equipment
- Multifunction printers and portable medical devices
Vidéos
Associated Products
Infineon Technologies CY15B104Q 4-Mbit Serial SPI F-RAM
4-Mbit nonvolatile Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) logically organized as 512K×8.
Development Tool
Infineon Technologies Carte de convertisseur REF-DAB11KIZSICSYS
Étage CC-CC avec une large plage de sortie utilisant un réseau résonnant avec 2 inducteurs et 2 condensateurs (CLLC).
Publié le: 2012-02-15
| Mis à jour le: 2023-11-20