Infineon Technologies Mémoire HYPERRAM™ 2.0 S80KS5122 et S80KS5123
Les mémoires HYPERRAM™ 2.0 S80KS5122 et S80KS5123 d'Infineon Technologies sont des RAM dynamiques (DRAM) auto-rafraîchissantes à haute vitesse, à faible nombre de broches et à faible puissance, destinées aux systèmes intégrés haute performance nécessitant une extension de la mémoire pour des besoins de bloc-notes ou de mise en mémoire tampon. Les produits HYPERRAM prennent en charge les interfaces HYPERBUS™ et xSPI octales conformes au profil JEDEC JESD251 qui s'appuient sur les caractéristiques héritées des mémoires à interface parallèle et série tout en améliorant les performances et la facilité de conception et en réduisant le coût du système. L'architecture à faible nombre de broches rend les HYPERRAM particulièrement adaptées aux applications limitées en termes d'alimentation et d'espace sur la carte qui nécessitent une RAM externe hors puce.
Les mémoires HYPERRAM S80KS5122 et S80KS5123 d'Infineon Technologies sont disponibles avec une interface HYPERBUS ou xSPI octale.
Caractéristiques
- Bus de données 8 bits
- Densité de 512 Mo
- Interface
- S80KS5122 : HYPERBUS (x8)
- S80KS5123 : xSPI Octal(x8)
- 200MHz
- Tension d'alimentation de 1,8 V
- Options de plage de température
- Industriel (-40 °C à +85 °C)
- Industriel Plus (-40 °C à +105 °C)
- Classe 3 automobile (-40 °C à +85 °C)
- Classe 2 automobile (-40 °C à +105 °C)
- Classe 1 automobile (-40 °C à +125 °C)
- Boîtier BGA-24 de 6 mm x 8 mm
Applications
- Systèmes télématiques, d'infodivertissement et grappes d'instruments automobiles
- Vision des machines industrielles
- Panneaux d'affichage IHM grand public et industrielle
- Dispositifs portables grand public
- Modules de communication
Schéma de principe logique (S80KS5122)
Schéma de principe logique (S80KS5123)
Publié le: 2022-03-21
| Mis à jour le: 2023-04-25