Diodes Incorporated Transistor à moyenne puissance PNP 80 V BC53-16PAWQ
Le transistor à moyenne puissance PNP BC53-16PAWQ de 80 V de Diodes Inc. est disponible dans un boîtier compact DFN2020-3 dont l'empreinte est 50 % plus petite qu'un boîtier SOT-23. Ce dispositif a une tension collecteur-émetteur de -80 V (VCEO) et un courant collecteur continu de -1 A (IC). Le BC53-16PAWQ de Diodes Inc. présente une faible tension de saturation (VCE(sat)) inférieure à 500 mV à 0,5 A et est livré dans un boîtier à profil bas (hauteur de 0,62 mm) pour des applications fines.
Caractéristiques
- Tension de rupture >-80 V, collecteur-émetteur, base ouverte (BVCEO)
- Courant collecteur continu élevé de -1 A (IC)
- Courant du collecteur d’impulsion de crête de -2 A (ICM)
- Tension de saturation inférieure à -500 mV (VCE(sat)) à -0,5 A
- Dissipation d’énergie de 0,5 W (PD)
- Gain de courant du transistor (hFE) de 100 A (minimum)
- Boîtier profil bas, hauteur 0,62 mm (std.) pour applications minces
- Placage étain sur les flancs mouillables en AOI
- L’empreinte de 4 mm2 est 50 % plus petite que SOT-23
- Le type NPN complémentaire est BC56-16PAWQ
- Sans plomb et sans halogénure (Conforme à la directive RoHS)
- Dispositif vert sans halogène ni antimoine
- Convient aux applications automobiles nécessitant un contrôle des modifications spécifique ; qualifié AEC-Q101, compatible PHPP et fabriqué dans une usine certifiée IATF16949
Caractéristiques techniques
- Boîtier W-DFN2020-3
- Hauteur nominale du boîtier : 0,6 mm
- Matériau d'emballage en plastique moulé
- Composé de moulage vert
- Indice d'inflammabilité UL 94V-0
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 selon J-STD-020
- Température maximale de soudage de +260 °C pendant 30 s selon la norme JEDEC J-STD-020
- Bornes à finition mate en étain, soudables selon la norme MIL-STD-202, Méthode 208
- Poids : 0,01 gramme (environ)
Profil de boîtier
Publié le: 2025-09-22
| Mis à jour le: 2025-10-07