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Diodes Incorporated MOSFET de puissance à canal N 1 200 V DMWSH120Hx

Les MOSFET de puissance à canal N 1 200 V DMWSH120Hx de Diodes Incorporated sont des MOSFET au carbure de silicium conçus pour minimiser la résistance à l'état passant et maintenir une excellente performance de commutation. Ces MOSFET disposent d'une faible capacité d'entrée, d'un courant de drain à tension de grille nulle jusqu'à 100 μA, d'une fuite grille-source jusqu'à ±250 nA et d'une valeur nominale BVDSS élevée pour les applications de puissance. Les MOSFET DMWSH120Hx fonctionnent dans une plage de température de -55 °C à 175 °C et sont conformes à la classification d'inflammabilité UL 94V-0. Ces MOSFET de puissance sont idéaux pour les convertisseurs CC-CC haute puissance pour véhicules électriques, les systèmes de recharge pour véhicules électriques, les onduleurs solaires, les onduleurs de traction CA-CC et les pilotes de moteur automobile.

Caractéristiques

  • Faible résistance à l'état passant
  • Valeur nominale BVDSS élevée pour application de puissance
  • Faible capacité d'entrée
  • Courant de drain de tension de grille nul (IDSS) jusqu'à 100 µA
  • Fuite grille-source jusqu'à ±250 nA
  • Homologué AEC-Q101 (DMWSH120H28SM3Q, DMWSH120H28SM4Q, DMWSH120H90SM3Q et DMWSH120H90SM4Q)
  • Finition sans plomb
  • Conforme à la directive RoHS
  • Classification d'inflammabilité UL 94V-0
  • Plage de température de fonctionnement de -55 °C à 175 °C
  • Disponible en boîtier TO247, TO247-4 ou TO263-7

Applications

  • Convertisseurs CC-CC haute puissance pour véhicules électriques
  • Systèmes de charge de véhicules électriques
  • Onduleurs solaires
  • Onduleurs de traction CA-DC
  • Pilotes de moteurs automobiles
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Numéro de pièce Fiche technique Nombre de canaux Polarité du transistor Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Pd - Dissipation d’énergie
DMWSH120H90SCT7 DMWSH120H90SCT7 Fiche technique 1 Channel N-Channel 1.2 kV 38.2 A 90 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 54.6 nC 197 W
DMWSH120H28SM3Q DMWSH120H28SM3Q Fiche technique 1 Channel N-Channel 1.2 kV 97.4 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 175 nC 405 W
DMWSH120H28SM3 DMWSH120H28SM3 Fiche technique 1 Channel N-Channel 1.2 kV 97.4 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 175 nC 405 W
DMWSH120H28SM4 DMWSH120H28SM4 Fiche technique 1 Channel N-Channel 1.2 kV 100 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 173.7 nC 429 W
DMWSH120H43SM3 DMWSH120H43SM3 Fiche technique 1 Channel N-Channel 1.2 kV 72.7 A 43 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 105 nC 341 W
DMWSH120H90SM3 DMWSH120H90SM3 Fiche technique 1 Channel N-Channel 1.2 kV 41 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 50.9 nC 246 W
DMWSH120H90SM3Q DMWSH120H90SM3Q Fiche technique 1 Channel N-Channel 1.2 kV 41 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 50.9 nC 246 W
DMWSH120H90SM4 DMWSH120H90SM4 Fiche technique 1 Channel N-Channel 1.2 kV 40 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 51.1 nC 235 W
DMWSH120H28SM4Q DMWSH120H28SM4Q Fiche technique 1 Channel N-Channel 1.2 kV 100 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 173.7 nC 429 W
DMWSH120H90SM4Q DMWSH120H90SM4Q Fiche technique 1 Channel N-Channel 1.2 kV 40 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 51.1 nC 235 W
Publié le: 2024-06-11 | Mis à jour le: 2024-07-22