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Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW

Le MOSFET à double canal N et mode d'amélioration DMTH64M2LPDW de Diodes Incorporated, est conçu pour des applications de commutation de puissance à haut rendement. DMTH64M2LPDW intègre deux MOSFET dans un seul boîtier PowerDI ® de 5 mm x 6 mm, apportant une taille compacte et d'excellentes performances thermiques. Chaque canal présente une faible résistance de conduction [R DS(on)] et une capacité de courant élevé, idéal pour le redressement synchrone dans les convertisseurs CC-CC, la gestion de l'alimentation dans les systèmes informatiques et les circuits de protection de batterie. Avec une tension maximale drain-source de 60 V et un courant de drain continu pouvant atteindre 90 A, ce dispositif de Diodes Inc assure une commutation rapide et de faibles pertes de conduction. La robuste conception combinée à une faible charge de grille et un indice élevé d’énergie d’avalanche fournit une exploitation fiable dans des environnements exigeants tels que les cartes mères de serveur, les cartes graphiques et l’électronique portable.

Caractéristiques

  • Le test de commutation inductive non limitée (UIS) 100 % en production garantit une application finale plus fiable et plus robuste
  • Boîtier thermiquement efficace - applications fonctionnant à une température plus basse
  • Haute efficacité de conversion
  • La faible R DS(ON) minimise les pertes à l'état passant
  • Faible capacité d'entrée
  • Vitesse de commutation rapide
  • Profil de boîtier <1,1 mm="" -="" idéal="" pour="" les="" applications="" à="" faible="">
  • Totalement sans plomb et conforme à la directive RoHS
  • Dispositif écologique, sans halogène ni antimoine

Applications

  • Chargement sans fil
  • Convertisseurs CC-CC
  • Gestion de l'alimentation

Caractéristiques techniques

  • Tension drain-source maximale : 60 V
  • Tension grille-source maximale : ±20 V
  • Courant de drain pulsé maximal : 360 A
  • Courant direct de la diode de corps continu maximal : 90 A
  • Courant direct pulsé de la diode de corps maximal : 360 A
  • Courant d’avalanche maximum : 49 A
  • Énergie d’avalanche maximale : 125 mJ
  • Plage de dissipation d’énergie totale de 2,9 W à 74 W
  • Caractéristiques hors tension
    • Tension de rupture drain-source minimale de 60 V
    • Courant de drain de tension de grille nul maximal de 1 µA
    • Fuite grille-source maximale de ±100 nA
  • Concernant les caractéristiques
    • Plage de tension de seuil de grille de 1,2 V à 2,2 V
    • Plage de résistance statique drain-source maximale de 5 0 mΩ à 7,8 mΩ
    • Tension directe de diode maximale de 1,2 V
  • Résistance thermique
    • Température de jonction-ambiante 51°C/W
    • Température de jonction à boîtier 2,04 °C/W
  • Caractéristiques dynamiques
    • Capacité d’entrée standard de 2 963 pF
    • Capacité de sortie standard de 1 070 pF
    • Capacité de transfert inverse standard de 68 pF
    • Résistance de grille standard de 0,97 Ω
    • Plage de charge de grille totale standard de 25 nC à 48 nC
    • Charge grille-source de 8,5 nC (valeur standard)
    • Charge grille-drain de 7,2 nC (valeur standard)
    • Délai de passage à l’ouverture typique 5,2 ns
    • Temps de montée activé standard 22 ns
    • Délai de passage à la fermeture typique de 55 ns
    • Temps de descente désactivé 38 ns
    • Temps de récupération inverse standard 56 ns
    • Charge de récupération inverse standard de 141 nC
  • Plage de température de fonctionnement de -55 °C à +175 °C
  • Boîtier PowerDI5060-8/SWP (type UXD)
  • Matière plastique moulée de classe UL 94V-0, composé de moulage écologique
  • Finition de la borne en étain mat, recuit sur un cadre de plombage en cuivre, soudable selon la norme MIL-STD-202, méthode 208
Publié le: 2025-10-22 | Mis à jour le: 2025-10-31