Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMTH61M8LPS
Le MOSFET à enrichissement à canal N DMTH61M8LPS de Diodes Incorporated est conçu pour minimiser la résistance à l’état passant (RDS (on)) tout en atteignant des performances de commutation supérieures. Ses caractéristiques incluent un haut rendement de conversion, une faible capacité d’entrée et une vitesse de commutation élevée. Ce MOSFET à canal N fonctionne sur une plage de température de -55 ºC à 175 ºC. Le MOSFET DMTH61M8LPS est idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement telles que les systèmes de gestion de moteur, l'électronique de contrôle de carrosserie et les convertisseurs CC-CC.
Caractéristiques
- Conçu pour une température nominale de 175 °C, il convient aux environnements où règne une forte température ambiante
- Le test de commutation inductive sans blocage (UIS) 100 % pendant la production garantit une application finale plus fiable et plus solide
- Rendement de conversion élevé
- Faible RDS (ON) minimisant les pertes à l’état passant
- Faible capacité d'entrée
- Vitesse de commutation élevée
Applications
- Systèmes de gestion de moteur
- Électronique de contrôle de carrosserie
- Convertisseurs CC/CC
Caractéristiques de sortie habituelles
Publié le: 2020-10-20
| Mis à jour le: 2024-08-16