Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMTH4M70SPGWQ
Le MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMTH4M70SPGWQ de Diodes Incorporated est un MOSFET 40 V conforme à la norme automobile qui dispose d'un RDS(ON) standard de 0,54 mΩ à un pilote de grille de 10 V, avec une charge de grille de 117 nC. Le DMTH4M70SPGWQ est proposé dans un boîtier de puissance innovant à courant fort et rendement thermique PowerDI®8080-5, idéal pour les applications de véhicules électriques (EV). Le MOSFET DMTH4M70SPGWQ homologué AEC-Q101 de Diodes Incorporated facilite les concepteurs d'entraînements de moteurs BLDC à haute puissance automobile, de convertisseurs CC-CC et de systèmes de charge pour maximiser le rendement du système tout en garantissant que la dissipation de puissance soit maintenue à un minimum absolu. L'appareil fournit une température de fonctionnement pouvant atteindre +175 °C
Caractéristiques
- Classé jusqu'à +175 °C, ce qui le rend idéal pour les environnements à température ambiante élevée
- Le test de commutation inductive non limitée (UIS) 100 % en production garantit une application finale plus fiable et plus robuste
- Conversion très efficace
- Faible RDS(ON), minimise les pertes de puissance
- Flanc mouillable pour de meilleures inspections visuelles
- Vitesse de commutation élevée
- Faible capacité d'entrée
- Finition sans plomb, conforme à la directive RoHS
- Composant « vert » sans halogène ni antimoine
- Adapté aux applications automobiles nécessitant un contrôle de changement spécifique
- Homologué AEC-Q101, compatible PHPP et fabriqué dans des installations certifiées IATF 16949
Applications
- Systèmes de gestion de moteur
- Électronique de contrôle de carrosserie
- Convertisseurs CC-CC
Style de boîtier
Vidéos
Publié le: 2022-06-02
| Mis à jour le: 2022-11-30