Diodes Incorporated MOSFET en mode amélioration à double canal P DMP68D1LV
Les MOSFET à mode d’amélioration à canal P DMP68D1LV de Diodes Incorporated offrent une faible résistance à l’état passant et une faible capacité d’entrée, tout en maintenant des performances de commutation supérieures. Les dispositifs sont idéaux pour les applications de gestion d’énergie à haut rendement. Les MOSFET DMP68D1LV de diodes Inc. sont disponibles dans un boîtier SOT563.
Caractéristiques
- Faible résistance en état de fonctionnement
- Faible capacité d'entrée
- Vitesse de commutation élevée
- Faible fuite d'entrée/sortie
- Protection ESD
- Finition sans plomb et conforme à la directive RoHS
- Dispositif « vert » sans halogène ni antimoine
- Pour les applications automobiles nécessitant un contrôle de changement spécifique
Applications
- Convertisseurs CC-CC
- Fonctions de gestion de la consommation d'énergie
Caractéristiques techniques
- Boîtier SOT563
- Matériau d’emballage en plastique moulé, composé de moulage « écologique »
- Classification d'inflammabilité UL 94V-0
- Niveau de sensibilité à l'humidité : 1 selon la norme J-STD-020
- Finition étain mat recuit sur cadre conducteur en cuivre
- Soudable selon la norme MIL-STD-202, méthode 208
- Poids de 0,006 g (approximatif)
Circuit d'application
Publié le: 2025-10-21
| Mis à jour le: 2025-11-07