Diodes Incorporated MOSFET DMP3014SFDE de 30 V à mode d'amélioration de canal P

Les MOSFET à mode d'amélioration de canal P de Diodes Inc. DMP3014SFDE 30 V présentent une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil de grille tout en maintenant des performances supérieures de commutation. Les dispositifs sont idéaux pour les applications de gestion d’énergie à rendement élevé. Les MOSFET DMP3014SFDE 30 V en mode d’amélioration à canal P de Diodes Inc. sont disponibles dans un boîtier U-DFN2020-6.

Caractéristiques

  • faible tension de seuil de grille
  • Faible résistance en état de fonctionnement
  • Grille protégée contre les ESD
  • Dispositif « vert » sans halogène ni antimoine
  • Pour des applications automobiles nécessitant un contrôle spécifique de changement
  • Finition sans plomb et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Commutateurs polyvalents d'interfaces
  • Fonctions de gestion de la consommation d'énergie

Caractéristiques techniques

  • Boîtier U-DFN2020-6
  • Matériau d'emballage en plastique moulé, obtenu par moulage « vert »
  • Classification d'inflammabilité UL 94V-0
  • Niveau de sensibilité à l'humidité : 1 selon la norme J-STD-020
  • Finition – boîte mate traitée thermiquement sur des bornes de grilles de connexion en cuivre
  • Soudable selon la norme MIL-STD-202, méthode 208
  • Masse : 0,008 g (approximative)

Circuit d'application

Schéma du circuit d'application - Diodes Incorporated MOSFET DMP3014SFDE de 30 V  à mode d'amélioration de canal P
Publié le: 2025-10-17 | Mis à jour le: 2025-11-09