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Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN52D0UV

Le MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN52D0UV de Diodes Incorporated est un MOSFET à canal N double conçu pour minimiser la RDS(ON) et maintenir des performances de commutation impressionnantes. Ce MOSFET dispose d'une faible capacité d'entrée, d'une vitesse de commutation rapide, d'une faible fuite d'entrée/sortie et d'un boîtier à montage en surface ultra-compact. Le MOSFET DMN52D0UV est protégé contre les ESD, sans plomb, conforme à la directive RoHS et sans halogène ni antimoine. Ce MOSFET offre une très faible tension de seuil de grille et fonctionne sur la plage de température de -55 °C à + 150 °C. Les applications standard comprennent les systèmes de gestion de batterie, les fonctions de gestion d'alimentation et les commutateurs de charge.

Caractéristiques

  • MOSFET à canal N double
  • Faible résistance à l'état passant
  • Faible tension de seuil de grille (1 V max)
  • Faible capacité d'entrée
  • Vitesse de commutation élevée
  • Faible fuite d'entrée/sortie
  • Boîtier ultra-compact à montage en surface
  • Protection ESD
  • Sans plomb
  • Conforme à la directive RoHS
  • Sans halogènes ni antimoine

Caractéristiques techniques

  • Tension drain source 50 VDSS
  • Tension grille-source ±12 VGSS
  • Courant de drain pulsé 1,2 A
  • Courant direct de diode de corps continu maximal de 480 mA
  • Plage de température de fonctionnement: de -55°C à + 150°C
  • Boîtier :
    • SOT563
  • Classification d'inflammabilité UL 94V-0
  • Poids :
    • 0,006 g

Applications

  • Systèmes de gestion de la batterie
  • Fonctions de gestion de l'alimentation
  • Commutateurs de charge

Dimensions

Plan mécanique - Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN52D0UV
Publié le: 2022-12-27 | Mis à jour le: 2023-03-06