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Diodes Incorporated MOSFET à canal N en mode amélioration DMN52D0LT

Le MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN52D0LT de Diodes Incorporated est conçu pour minimiser la RDS(ON) et maintenir des performances de commutation impressionnantes. Ce MOSFET dispose d'une très faible tension de seuil de grille, d'une faible capacité d'entrée, d'une vitesse de commutation rapide et d'une grille protégée contre les ESD. Le MOSFET DMN52D0LT offre une faible fuite d'entrée/sortie et est homologué AEC-Q100/101/104/200 et compatible PHPP. Ce MOSFET est sans plomb, conforme à la directive RoHS et fonctionne dans la plage de température de -55 °C à + 150 °C. Les applications standard comprennent le pilotage de moteur, les fonctions de gestion de l'alimentation et la commutation de charge.

Caractéristiques

  • Faible résistance à l'état passant
  • Tension de seuil très faible
  • Faible capacité d'entrée
  • Vitesse de commutation élevée
  • Faible fuite d'entrée/sortie
  • Grille protégée contre les ESD
  • Sans plomb
  • Conforme à la directive RoHS
  • Sans halogènes ni antimoine

Caractéristiques techniques

  • Tension drain source 50 VDSS
  • Tension grille-source ±12 VGSS
  • Courant de drain pulsé 1,2 A
  • Courant direct de diode de corps continu maximal de 350 mA
  • Plage de température de fonctionnement: de -55°C à + 150°C
  • Boîtier :
    • SOT523
  • Classification d'inflammabilité UL 94V-0
  • Poids :
    • 0,002 g

Applications

  • Entraînement de moteur
  • Fonctions de gestion de l'alimentation
  • Commutation de charge

Dimensions

Plan mécanique - Diodes Incorporated MOSFET à canal N en mode amélioration DMN52D0LT
Publié le: 2022-12-27 | Mis à jour le: 2023-01-09