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MOSFET de puissance Cree Z-FET™ 1 200 V au carbure de siliciumLes MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) Cree Z-FET™ 1 200 V permettent aux ingénieurs de remplacer les transistors au silicium (IGBT) et de développer des circuits à haute tension présentant des vitesses de commutation très rapides et des pertes de commutation ultra-faibles. Utilisé conjointement avec les diodes Schottky SiC Z-Rec® de Cree dans un système intégralement SiC, les MOSFET SiC Cree Z-FET 1 200 V permettent aux ingénieurs de conception d'atteindre des niveaux d'efficacité énergétique, de taille et d'allègement qui ne sont pas accessibles avec les composants silicium de puissance disponible dans des gammes comparables. Ces MOSFET offrent la plus faible perte de commutation de leur catégorie et des fréquences de commutation nettement plus élevées, fournissant ainsi un rendement hors pair. Ce produit révolutionnaire permet également de réduire la taille des composants magnétiques et de filtrage, et réduit considérablement les besoins en refroidissement. Le coefficient thermique positif des MOSFET SiC Cree Z-FET permet de mettre facilement et en toute sécurité des composants en parallèle dans des systèmes à plus forte puissance, pour une augmentation globale de RDS(on) de seulement 20 % en fonction de la température. Ces MOSFET sont optimisés pour les applications à haute tension où l'efficacité énergétique est cruciale, comme les alimentations électriques à haute tension, les circuits électroniques de puissance auxiliaires, les onduleurs solaires de 3 à 10 kW, les pilotes de moteurs industriels, les architectures électriques CC à haute puissance pour centres de données et les circuits de correction de facteur de puissance. |
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Caractéristiques
Applications
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