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Broadcom Photo MOSFET APML-600JV/JT

Les photo MOSFET APML-600JV/JT de Broadcom sont des photo MOSFET haute tension conçus pour les applications automobiles. Ces MOSFET sont constitués d’un étage d’entrée à diode électroluminescente (LED) à infrarouge AlGaAs qui est couplé optiquement à un circuit de détection de sortie à haute tension.  Ce détecteur est constitué d’un réseau de diodes photovoltaïques haut débit et d’un circuit de commande pour allumer/éteindre deux MOSFET discrets à haute tension.  Le photo MOSFET APML-600JV/JT s’allume (se ferme par contact) avec un courant d’entrée minimal de 1,5 mA via la LED d’entrée. Le photo MOSFET s’éteint (se ferme par contact) avec une tension d’entrée de 0,4 V ou moins. Les MOSFET APML-600JV/JT disposent d’un commutateur de signal bidirectionnel à semi-conducteurs compact et sont homologués AEC-Q101. Les MOSFET APML-600JV/JT fournissent une isolation et une fiabilité renforcées pour fournir une isolation sûre du signal dans les applications automobiles et industrielles à haute température. Idéalement, ces MOSFET sont utilisés dans les systèmes de mesure de la résistance d’isolation de batterie/détection de fuite et de gestion de batterie (BMS).

Caractéristiques

  • Commutateur de signal bidirectionnel à semi-conducteurs compact
  • Homologué AEC-Q101
  • Plage de température automobile :
    • APML-600JV :TA = de -40 °C à 105 °C
    • APML-600JT :TA = de -40 °C à 125 °C
  • Tension de rupture de 1 500 V VO(OFF) à I O( OFF) = 250 μA
  • MOSFET classés avalanche
  • Faible courant de fuite à l’état bloqué :
    • APML-600JV : IO(OFF) <500 nA @ VDS = 1000 V
    • APML-600JT : IO(OFF) <1000 nA @ VDS = 1000 V
  • Résistance à l'état passant : RON <900 Ω at IO = 1 mA
  • Temps d'activation : TON <2,0 ms
  • Temps de désactivation : TOFF <0,5 ms
  • Boîtier SO-16 300 mm
  • Ligne de fuite et distance d'isolement ≥8 mm (entrée-sortie)
  • Ligne de fuite >5 mm (entre les broches de drain des MOSFET)
  • Homologations réglementaires et de sécurité :
    • CEI/EN/DIN EN 60747-5-5
    • Tension d’isolation maximale de fonctionnement de 1 414 VCRÊTE
    • UL/cUL 1577 : 5 000 VRMS pendant 1 minute

Applications

  • Mesure de la résistance d’isolement de la Batterie/détection de fuite
  • Système de gestion de batterie (BMS)

Schéma de principe

Schéma de principe - Broadcom Photo MOSFET APML-600JV/JT

Schéma du profil du boîtier

Plan mécanique - Broadcom Photo MOSFET APML-600JV/JT
Publié le: 2024-03-12 | Mis à jour le: 2024-03-25