Analog Devices Inc. Atténuateurs numériques en silicium ADRF5717

Les atténuateurs numériques en silicium ADRF5717  d'Analog Devices Inc. sont des atténuateurs numériques 2 bits avec une plage d’affaiblissement de 48 dB par pas de 16 dB qui prennent en charge un fonctionnement sans perturbation. Ces atténuateurs fonctionnent sur une plage de fréquence ultra-large bande de 1 MHz à 30 GHz avec un affaiblissement d'insertion supérieur à 2,8 dB et une précision d’affaiblissement de 3,3 dB. Les atténuateurs numériques en silicium ADRF571   disposent de ports ATTIN et ATTOUT qui offrent une capacité de traitement de la puissance d’entrée RF de 30 dBm en moyenne à l’état stable et de 33 dBm en crête à l’état stable. Ces atténuateurs  disposent d’une double tension d’alimentation de 3,3 V et de -3,3 V  et  prennent en charge un fonctionnement à alimentation simple. Les atténuateurs en silicium ADRF5717 sont compatibles avec les semi-conducteurs complémentaires à oxyde métallique (CMOS) et la logique transistor-transistor basse tension (LVTL). Les applications standard incluent les scanners industriels, les tests et l’instrumentation, l’infrastructure cellulaire à ondes millimétriques 5G, les contre-mesures électroniques (ECM), les radios micro-ondes et les bornes à très petite ouverture (VSAT).

Caractéristiques

  • Plage de fréquence ultra-large bande de 1 MHz à 30 GHz
  • Pas standard de 16 dB vers la plage d’affaiblissement de 48 dB
  • Perte d’affaiblissement faible :
    • De 1,5 dB à 8 GHz
    • De 2 dB à 18 GHz
    • De 2,8 dB à 30 GHz
  • Précision d’affaiblissement :
    • ± (0,20 + 2,3 % de l’état d’affaiblissement) dB standard jusqu’à 8 GHz
    • ± (0,30 + 3,2 % de l’état d’affaiblissement) dB standard jusqu’à 18 GHz
    • ± (0,30 + 6,5 % de l’état d’affaiblissement) dB standard jusqu’à 30 GHz
  • Erreur de pas standard :
    • ± 0,8 dB standard jusqu’à 8 GHz
    • ± 1,3 dB standard jusqu’à 18 GHz
    • ± 3,3 dB standard jusqu’à 30 GHz
  • Grande linéarité d'entrée
    • État d'affaiblissement P0.1dB standard de 30 dBm
    • Autres états d’affaiblissement P0.1dB standard de 30 dBm
    • État d'affaiblissement d’insertion IP3 standard de 51 dBm
    • Autre état d’affaiblissement IP3 standard de 49 dBm
  • Traitement de la puissance RF élevée :
    • Entrée aux ports ATTIN et ATTOUT :
      • Moyenne d'état stable standard de 30 dBm
      • Pic d’état stable standard de 33 dBm
  • Temps de stabilisation d’amplitude RF standard de 6,6 µs (0,1 dB de la RFOUTfinale)
  • Fonctionnement à alimentation simple pris en charge
  • Distribution étroite en phase relative
  • Aucun signal parasite basse fréquence
  • Contrôle de mode parallèle et conforme à la directive RoHS
  • Compatible avec les semi-conducteurs complémentaires à oxyde métallique (CMOS)/la logique transistor-transistor basse tension (LVTTL)
  • Boîtier LGA (Land Grid Array) à 20 bornes, 3 mm x 3 mm[LGA]

Applications

  • Lecteurs industriels
  • Test et instrumentation
  • Infrastructure cellulaire à ondes millimétriques 5G
  • Radios et radars militaires
  • Contre-mesures électroniques (ECM)
  • radios micro-ondes
  • Bornes à très petite ouverture (VSAT)

Schéma de circuit d’application simplifié

Schéma du circuit d'application - Analog Devices Inc. Atténuateurs numériques en silicium ADRF5717

Schéma de configuration des broches

Analog Devices Inc. Atténuateurs numériques en silicium ADRF5717

Schéma des dimensions

Plan mécanique - Analog Devices Inc. Atténuateurs numériques en silicium ADRF5717
Publié le: 2024-01-31 | Mis à jour le: 2024-03-06