Analog Devices Inc. Atténuateurs numériques en silicium ADRF5716
Les atténuateurs numériques en silicium ADRF5716 d'Analog Devices Inc. sont des atténuateurs 2 bits avec contrôle d’affaiblissement de 48 dB en pas de 16 dB qui prennent en charge un fonctionnement sans perturbation. Ces atténuateurs fonctionnent sur une plage de fréquence ultra-large bande de 100 MHz à 30 GHz avec un affaiblissement d’insertion supérieur à 2,9 dB et une précision d’affaiblissement supérieure à 1,5 dB. Les atténuateurs numériques en silicium ADRF5716 disposent de ports ATTIN et ATTOUT qui fournissent une capacité de traitement de puissance d’entrée RF de 30 dBm en moyenne et de 33 dBm en crête. Ces atténuateurs disposent d’une double tension d’alimentation de 3,3 V et de -3,3 V et prennent en charge un fonctionnement à alimentation simple. Les atténuateurs en silicium ADRF5716 sont compatibles avec les semi-conducteurs complémentaires à oxyde métallique (CMOS) et la logique transistor-transistor basse tension (LVTL).Caractéristiques
- Plage de fréquence ultra-large bande de 100 MHz à 30 GHz
- Pas standard de 16 dB vers la plage d’affaiblissement de 48 dB
- Affaiblissement d’insertion faible :
- De 1,6 dB à 8 GHz
- De 2,2 dB à 18 GHz
- De 2,9 dB à 30 GHz
- Précision d’affaiblissement :
- ± (0,25 + 3,6 % de l’état d’affaiblissement) dB standard jusqu’à 8 GHz
- ± (0,10 + 1,8 % de l’état d’affaiblissement) dB standard jusqu’à 18 GHz
- ± (0,50 + 2,8 % de l’état d’affaiblissement) dB standard jusqu’à 30 GHz
- Erreur de pas standard :
- ± 0,7 dB standard jusqu’à 8 GHz
- ± 1,0 dB standard jusqu’à 18 GHz
- ± 1,5 dB standard jusqu’à 30 GHz
- Grande linéarité d'entrée
- État d'affaiblissement P0.1dB standard de 30 dBm
- Autres états d’affaiblissement P0.1dB standard de 30 dBm
- IIP3 : 50 dBm standard
- Traitement de la puissance RF élevée
- 30 dBm moyenne standard
- 33 dBm crête standard
- Temps de stabilisation d’amplitude RF standard de 130 ns (0,1 dB de RFOUTfinale)
- Fonctionnement à alimentation simple pris en charge
- Distribution étroite en phase relative
- Aucun signal parasite à basse fréquence
- Contrôle de mode parallèle, compatible CMOS/LVTTL
- Boîtier LGA (Land Grid Array) à 20 bornes, 3 mm x 3 mm[LGA]
Applications
- Lecteurs industriels
- Test et instrumentation
- Infrastructure cellulaire à ondes millimétriques 5G
- Radios et radars militaires
- Contre-mesures électroniques (ECM)
- radios micro-ondes
- Bornes à très petite ouverture (VSAT)
Schéma fonctionnel
Publié le: 2024-01-31
| Mis à jour le: 2024-03-06
