Vishay / Siliconix Produits présentés

MOSFET de puissance série E 600 V de quatrième génération dans un boîtier PowerPAK® 8 x 8LR.

Dispose d’une technologie d’alimentation TrenchFET^® Gén V idéale pour le redressement synchrone et l’automatisation.

MOSFET de puissance TrenchFET® Gen V utilisant la technologie de basculement de source qui améliore les performances thermiques.

Évaluez les commutateurs de charge eFuse monocanal SIP32433A, SIP32433B, SIP32434A et SIP32434B.

Intègrent plusieurs fonctions de contrôle et de protection.

Intègrent de multiples fonctions de contrôle et de protection.

MOSFET à diode à corps rapide homologué AEC-Q101 avec t_rr, Q_rr et I_RRM réduits et un FOM ultra-faible.

Augmente le rendement de conversion de puissance avec un facteur de mérite (FOM) R_DS x Q_g très faible.

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