SemiQ Featured Products
Dispositifs discrets GEN3 MOSFET SiC 1 200 V
Developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.
Modules d'alimentation MOSFET SiC GEN3 1 200 V
With an isolated backplate, based on third-generation SiC technology, and tested at over 1400V.
Diode GP3D050B170B SCHOTTKY SiC QSiC™ 1 700 V
Livrée dans un boîtier TO-247-2L conçu pour répondre aux exigences de taille et de puissance dans une variété d’applications.
Modules demi-pont MOSFET SiC 1200 V GCMX
Faibles pertes de commutation, faible résistance thermique jonction-boîtier et montage aisé et très robuste.
Modules pont complet MOSFET SiC 1200 V GCMX
Idéal pour les onduleurs photovoltaïques, les systèmes de stockage d’énergie et les convertisseurs CC-CC haute tension.
GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET
Offers reduced switching losses, higher efficiency, and increased power density.
GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.
GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.