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Littelfuse Diodes TVS CMS uni/bidirectionnelles SMF

Les diodes TVS CMS uni/bidirectionnelles de Littelfuse sont conçues pour protéger les équipements électroniques sensibles des tensions transitoires induites par la foudre et d'autres événements de tension transitoire. Le boîtier SMF (SOD-123FL) offre une empreinte 50 % plus petite que le boîtier SMA et offre une faible hauteur de 1,1 mm. Les composants SMF sont idéaux pour la protection des interfaces E/S, du bus VCC et d'autres circuits vulnérables utilisés dans les téléphones portables, les dispositifs portables, les machines professionnelles, les alimentations électriques et d'autres applications grand public.

Caractéristiques

  • Capacité de puissance d'impulsion de crête de 200 W à une forme d'onde de 10/1 000 μs, taux de répétition (rapport cyclique) : 0,01 %
  • Compatible avec le boîtier à la norme industrielle SOD-123FL
  • Profil mince, hauteur maximale de 1,1 mm
  • Faible inductance, excellente capacité de serrage
  • Pour les applications à montage en surface afin d'optimiser l'espace sur la carte
  • Haute température pour soudure par refusion garantie à +260 °C pendant 430 secondes
  • Le mode de défaillance standard est court à partir d'une tension ou d'un courant surspécifié
  • Le test de barbes est effectué sur la base de JEDEC JESD201A selon le tableau 4a et 4c
  • CEI-61000-4-2 DES 30 kV (air), 30 kV (contact)
  • Protection DES des lignes de données conformément à la norme CEI 61000-4-2
  • Protection EFT des lignes de données conformément à CEI 61000-4-4
  • Temps de réponse rapide, généralement inférieur à 1,0 ns, de 0 V VBR min.
  • Jonction passivée au verre
  • Réducteur de tension intégré
  • Boîtier plastique classé UL 94V-0
  • Conforme à MSL 1, selon J-STD-020 ; pic maximal LF de +260 °C
  • Plaqué étain mat sans plomb
  • Reconnu UL selon UL 497B comme un protecteur de circuit de boucle isolé
  • E3 sans plomb signifie que l'interconnexion de 2e niveau est sans plomb et que le matériau de finition des bornes est l'étain (Sn) (JEDEC J-STD609A.01)
  • Sans halogène et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Téléphones cellulaires
  • Appareils portables
  • Machines professionnelles
  • Alimentations électriques
  • Grand public

Caractéristiques techniques

  • Dissipation de puissance d'impulsion de crête
    • 1 000 W à 8/20 µs
    • 200 W à 10/1 000 µs
  • Dissipation d'énergie de 1 W sur un dissipateur infini à TL = +50 °C
  • Plage de tension de rupture de 6,40 V à 309,00 V
  • Courant d'essai 1 mA ou 10 mA
  • Plage de tension d'arrêt inverse de 5,0 V à 250 V
  • Plage de fuite inverse maximale de 1,0 µA à 400 µA
  • Plage de courant d'impulsion de crête maximale de 0,5 A à 21,7 A
  • Plage de tension de serrage maximale de 9,2 V à 405,0 V
  • Résistance thermique
    • Température de jonction vers ambiante +220 °C
    • Température de jonction vers fil +100 °C
  • Plage de température de fonctionnement : de -65 °C à +150 °C

Schéma fonctionnel

Schéma de principe - Littelfuse Diodes TVS CMS uni/bidirectionnelles SMF

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Publié le: 2023-03-29 | Mis à jour le: 2023-04-03