Littelfuse Diode TVS discrète bidirectionnelle AQ1205-01ETG

La diode TVS discrète bidirectionnelle AQ1205-01ETG de Littelfuse fournit aux équipements électroniques un haut niveau de protection contre les décharges électrostatiques (ESD). Cette diode TVS peut absorber en toute sécurité des pics ESD répétitifs de ±30 kV (contact et décharge d'air tels que définis dans CEI 61000-4-2) sans aucune dégradation de performance. La diode AQ1205-01ETG est fabriquée dans une technologie propriétaire d'avalanche au silicium et offre un faible courant de fuite de 20 nA à 5  V. Cette diode TVS homologuée AEC-Q101 et compatible PPAP peut dissiper en toute sécurité un événement de surtension de 7 A 8/20 μs tel que défini dans CEI 61000-4-5, 2e édition. Les applications standard comprennent les commutateurs et les boutons, les équipements de test, les instruments, les terminaux de point de vente (PDV), les équipements médicaux, les ordinateurs de bureau, l'automobile et les périphériques d'ordinateur.

Caractéristiques

  • ESD, CEI 61000-4-2, contact ±30 kV et air ±30 kV
  • EFT, CEI 61000-4-4, 40 A (5/50 ns)
  • Tolérance aux surtensions, CEI 6100-4-5 2e édition, 7 A (8/20 µs)
  • ESD, ISO 10605, 330 pF 330 Ω, contact ±30 kV et air ±30 kV
  • Faible courant de fuite de 20 nA (maximum) à 5 V
  • Sans halogène, sans plomb et conforme à la directive RoHS
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL-1)
  • Certifié AEC-Q101 et compatible PPAP

Applications

  • Interrupteurs/boutons
  • Équipement de test/instrumentation
  • Terminaux au point de vente
  • Équipements médicaux
  • Ordinateurs portables, ordinateurs de bureau et serveurs
  • Périphériques informatiques
  • Applications automobiles
  • Batterie

Dimensions

Plan mécanique - Littelfuse Diode TVS discrète bidirectionnelle AQ1205-01ETG
Publié le: 2022-01-28 | Mis à jour le: 2022-04-07