IXYS IGBT à tranchée IXYx110N120A4 1 200 V XPT™ GenX4™
Les IGBT en tranchée XPT™ GenX4™ 1 200 V IXYx110N120A4 d'IXYS sont des IGBT à gain élevé optimisés pour une VCE(sat) à pertes de conduction très faibles et pour des fréquences de commutation atteignant 5 kHz. La technologie à couche mince et les processus améliorés permettent une faible charge de grille QG, d'où une faible exigence de courant de grille. Le gain élevé accroît la capacité de courant de choc et le coefficient de température positif de VCE(sat) simplifie la mise en parallèle. La faible résistance thermique de Rth(j-c) facilite les problèmes de conception liés à la température.
Les IGBT IXYx110N120A4 1 200 V d'IXYS sont disponibles en boîtiers TO-264, PLUS247 et SOT-227B (miniBLOC). L'IXYx110N120A4 est idéal pour les applications telles que les circuits de protection du courant d'appel, les ballasts de lampes, les onduleurs solaires et bien d'autres.
Caractéristiques
- Optimisé pour de faibles pertes de conduction VCE(sat)
- Capacité de gain élevé et courant de surtension
- Faible résistance thermique Rth(j-c)
- Coefficient thermique positif de VCE(sat)
- Paquets internationaux standard
Applications
- Onduleurs solaires
- ASI
- Commandes de moteurs
- Machines de soudage
- Ballasts de lampes
- Circuits de protection du courant d'appel
IGBT apparentés
IXYS IGBT à tranchée 650 V à 1 200 V XPT™ GenX4™
Utilise une technologie à couche mince propriétaire XPT et un processus de tranchée IGBT de 4e génération (GenX4).
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Package/Boîte | Style de montage | Pd - Dissipation d’énergie |
|---|---|---|---|---|
| IXYK110N120A4 |  |
TO-264-3 | Through Hole | 1.36 kW |
| IXYX110N120A4 | |
TO-247-3 | Through Hole | 1.36 kW |
| IXYN110N120A4 | |
SOT-227B-4 | Screw Mount | 830 W |
Publié le: 2020-12-31
| Mis à jour le: 2024-05-30