IXYS Dispositifs de puissance HiPerFET et MOSFET
Les dispositifs de puissance MOSFET et HiPerFET d' IXYS sont disponibles dans le boîtier SMPD, qui est beaucoup plus léger (généralement de 50 %) que lesmodules d'alimentation conventionnels comparables. Cela permet au concepteur de créer des systèmes d'alimentation plus légers. Grâce à son boîtier à profil ultra-mince et compact, il est possible d'utiliser le même dissipateur pour plusieurs dispositifs, ce qui permet d'économiser de l'espace sur le PCB. Un avantage supplémentaire d'être plus petit et plus léger est qu'il fournit une meilleure protection contre les vibrations et les forces g, en particulier s'il est utilisé dans les appareils portables. Cet avantage augmente également l'espérance de vie et la fiabilité des dispositifs.Caractéristiques
- Profil de boîtier ultra-mince et compact
- Montage en surface via un processus de refusion standard
- Boîtier de faible poids
- Isolation céramique (DCB) jusqu'à 4500 V
- Boîtier de faible inductance
- Excellentes performances thermiques
- Capacité d'arrêt/démarrage de l'alimentation élevée
- Configurations
- Buck
- Boost
- Pont complet
- Demi-pont
- Branche de phase
- Simple
Applications
- Chargeurs de batteries
- Alimentations à résonance et à commutation
- Hacheurs CC
- Convertisseurs CC-CC
- Commandes de température et d'éclairage
- Commandes de moteurs
- Vélos électriques et véhicules électriques et hybrides
- Onduleurs solaires
- Chauffages à induction
Publié le: 2020-03-03
| Mis à jour le: 2024-05-23
