IXYS Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) GenX3™
Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) GenX3™ d'IXYS sont PT (perforation) fabriqués selon un procédé IGBT HDMOS robuste. Les composants GenX3 600 V sont optimisés pour les applications à courant élevé nécessitant des fréquences de commutation douce jusqu'à 200 kHz et des fréquences de commutation dure de 40 kHz. Les IGBT 600 V fournissent des capacités de courant de surtension plus élevées, une tension de saturation plus faible et des pertes d'énergie plus faibles offrant aux concepteurs une option viable pour les applications de commutation sur la plage 600 V. Les IGBT GenX3 1 200 V offrent des tensions de saturation plus faibles, des pertes de commutation plus faibles et des capacités de courant de surtension plus élevées. Les modèles 1 200 V sont destinés au marché de la conversion d'énergie haute tension.
Caractéristiques
- IXGx24N120C3
- IGBT PT haute vitesse pour commutation de 10 kHz à 50 kHz
- Boîtiers aux normes internationales
- Allumage de grille MOS, simplicité de pilotage
- Classé avalanche
- IXGx30N60C3D1
- IGBT PT haute vitesse pour commutation de 40 kHz à 100 kHz
- Optimisés pour de faibles pertes de commutation
- RBSOA carrée
- Diode ultra-rapide anti-parallèle
- Boîtiers aux normes internationales
- Densité de puissance élevée
- Exigences de commande de grille faibles
- IXGx32N120A3
- IGBT PT à ultra-faible Vsat pour une commutation jusqu'à 3 kHz
- Optimisés pour de faibles pertes de conduction
- Boîtiers aux normes internationales
- Densité de puissance élevée
- Exigences de commande de grille faibles
- IXGx320N60B3
- IGBT PT à faible Vsat et vitesse moyenne pour commutation de 5 kHz à 40 kHz
- Optimisés pour de faibles pertes de conduction et de commutation
- Capacité d'intensité élevée
- RBSOA carrée
- Densité de puissance élevée
- Exigences de commande de grille faibles
- IXGx72N60B3H1
- IGBT PT à faible Vsat et vitesse moyenne pour commutation de 5 kHz à 40 kHz
- Optimisés pour de faibles pertes de conduction et de commutation
- RBSOA carrée
- Diode ultra-rapide anti-parallèle
- Densité de puissance élevée
- Exigences de commande de grille faibles
Applications
- IXGx24N120C3
- Contrôle de vitesse de moteur CA
- Servomoteurs CC et entraînements de robots
- Hacheurs CC
- Alimentation sans interruption (ASI)
- Alimentations à découpage et à résonance
- IXGx30N60C3D1
- Convertisseurs de puissance haute fréquence
- ASI
- Commandes de moteurs
- SMPS
- Circuits PFC
- Chargeurs de batteries
- Machines de soudage
- Ballasts de lampes
- IXGx32N120A3
- Onduleurs de puissance
- Décharge de condensateur
- ASI
- Commandes de moteurs
- SMPS
- Circuits PFC
- Chargeurs de batteries
- Machines de soudage
- Ballasts de lampes
- Circuits de protection du courant d'appel
- IXGx320N60B3 et IXGx72N60B3H1
- Onduleurs de puissance
- ASI
- Commandes de moteurs
- SMPS
- Circuits PFC
- Chargeurs de batteries
- Machines de soudage
- Ballasts de lampes
Caractéristiques techniques
- Options de boîtier disponibles
- PLUS247-3
- SOT-227 B-4
- TO-247AD-3
- TO-263
- TO-264-3
- TO-268
- Plage de tension collecteur-émetteur : 600 V ou 1 200 V maximum
- Plage de tension de saturation collecteur-émetteur : de 1,4 V à 600 V
- Courant collecteur continu de 48 A à 500 A à +25 °C
- Options de courant de fuite grille-émetteur de 100 nA ou 400 nA
- Plage de dissipation d'énergie de 220 W à 1 700 W
Ressources supplémentaires
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Publié le: 2023-04-07
| Mis à jour le: 2023-04-12