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Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ de 6 200 V

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ de 6 200 V d'Infineon Technologies sont des MOSFET à canal N de niveau normal disponibles dans les boîtiers PG-TO263-3, PG-TO220-3 et PG-HDSOP-16. Ces MOSFET présentent un excellent produit de charge de grille x RDS(on) (FOM), une charge de récupération inverse très faible (Q rr) et une faible résistance RDS(on) à l'état passant. Les MOSFET OptiMOS™ de 6 200 V fonctionnent à une température de 175 °C. Ces MOSFET sont sans halogène conformément à la norme IEC61249‑2‑21 et observent un niveau de sensibilité à l'humidité (MSL 1) selon les normes J‑STD-020. Les MOSFET OptiMOS™ de 6 200 V sont idéaux pour les applications dans le domaine des énergies renouvelables, le contrôle de moteur, les amplificateurs audio et les applications industrielles.

Caractéristiques

  • Canal N, niveau normal
  • Tension drain-source de 200 V
  • Faible résistance RDS(on) à l'état passant
  • Excellent produit de charge de grille x RDS(on) (FOM)
  • Charge de récupération inverse très faible (Qrr)
  • Température de fonctionnement de 175 °C
  • Conforme à la directive RoHS
  • Sans halogène selon la norme IEC61249‑2‑21
  • Classe MSL 1 selon la norme J‑STD-020
  • Disponible en boîtiers PG-TO263-3, PG-TO220-3 et PG-HDSOP-16

Applications

  • Exigences industrielles

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Infineon Technologies Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ 6

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Fiches techniques

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Numéro de pièce Fiche technique Id - Courant continu de fuite Transconductance directe - min. Pd - Dissipation d’énergie Qg - Charge de grille Rds On - Résistance drain-source Temps de montée Vds - Tension de rupture drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Délai de désactivation type Délai d'activation standard Temps de descente Nombre de canaux Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max.
IPTC068N20NM6ATMA1 IPTC068N20NM6ATMA1 Fiche technique 140 A 33 S 319 W 71 nC 6.8 mOhms 15 ns 200 V 20 V 4.5 V 28 ns 19 ns 9 ns 1 Channel - 55 C + 175 C
IPB095N20NM6ATMA1 IPB095N20NM6ATMA1 Fiche technique 116 A 23 S 300 W 53 nC 8.7 mOhms 30 ns 200 V 20 V 4.5 V 28 ns 15 ns 11 ns 1 Channel - 55 C + 175 C
IPP095N20NM6AKSA1 IPP095N20NM6AKSA1 Fiche technique 116 A 23 S 300 W 53 nC 8.7 mOhms 30 ns 200 V 20 V 4.5 V 28 ns 15 ns 11 ns 1 Channel - 55 C + 175 C
IPB175N20NM6ATMA1 IPB175N20NM6ATMA1 Fiche technique 61 A 203 W 31 nC 15.5 mOhms 23 ns 200 V 20 V 4.5 V 23 ns 12 ns 9.8 ns 1 Channel - 55 C + 175 C
IPP130N20NM6AKSA1 IPP130N20NM6AKSA1 Fiche technique 87 A 18 S 234 W 37 nC 12 mOhms 13 ns 200 V 20 V 4.5 V 20 ns 12 ns 7 ns 1 Channel - 55 C + 175 C
IPP175N20NM6AKSA1 IPP175N20NM6AKSA1 Fiche technique 61 A 13 S 203 W 31 nC 15.5 mOhms 23 ns 200 V 20 V 4.5 V 23 ns 12 ns 9.8 ns 1 Channel - 55 C + 175 C
ISC300N20NM6ATMA1 ISC300N20NM6ATMA1 Fiche technique 44 A 22 S 136 W 17 nC 30 mOhms 7 ns 200 V - 20 V, 20 V 4.5 V 11 ns 8 ns 6 ns 1 Channel - 55 C + 175 C
ISC130N20NM6ATMA1 ISC130N20NM6ATMA1 Fiche technique 88 A 17 S 242 W 39 nC 13 mOhms 15 ns 200 V - 20 V, 20 V 4.5 V 20 ns 10 ns 9 ns 1 Channel - 55 C + 175 C
IPB339N20NM6ATMA1 IPB339N20NM6ATMA1 Fiche technique 39 A 7.3 S 125 W 15.9 nC 33.9 mOhms 14 ns 200 V - 20 V, 20 V 4.5 V 15 ns 9 ns 8 ns 1 Channel - 55 C + 175 C
IPF067N20NM6ATMA1 IPF067N20NM6ATMA1 Fiche technique 138 A 32 S 300 W 72 nC 6.2 mOhms 21 ns 200 V - 20 V, 20 V 3.7 V 30 ns 17 ns 12 ns 1 Channel - 55 C + 175 C
Publié le: 2025-04-23 | Mis à jour le: 2025-09-03