Infineon Technologies Transistors discrets TRENCHSTOP IGBT7 H7 1 200 V

Les transistors discrets TRENCHSTOP IGBT7 H7 1 200 V d’Infineon Technologies sont la 7ème génération des IGBTs TRENCHSTOP™ 1 200 V, conçus avec la technologie de tranchée à micro-motif. Ces IGBTs discrets offrent un haut niveau de contrôlabilité, de faibles pertes de conduction, de faibles pertes de commutation, des performances EMI améliorées et une robustesse à l’humidité dans des environnements difficiles. Les transistors discrets H7 IGBT7 permettent la sélection d'une faible résistance de grille (pouvant descendre à 5 Ω) tout en maintenant un excellent comportement de commutation. Ces transistors sont utilisés dans les applications de chargement rapide des véhicules électriques, de chauffage et de soudage industriels, ainsi que dans les alimentations sans interruption (ASI).