Infineon Technologies Carte d'évaluation EVAL-iSSI30R12H

La carte d’évaluation EVAL-iSSI30R12H d'Infineon Technologies évalue les caractéristiques de produit de l’isolateur à semi-conducteur de transformateur sans noyau SSI iSSI30R12H d'Infineon dans un circuit d’application. La carte d’évaluation EVAL-iSSI30R12H dispose du iSSI30R12H et de deux MOSFET CoolMOS™ IPT60T022S7 en configuration de commutateur CA. L’interface de contrôle peut être connectée à un générateur d’impulsions, à un microcontrôleur ou à d’autres circuits numériques avec une capacité de pilotage appropriée d’au moins 25 mA.

Caractéristiques

  • Carte d’évaluation avec MOSFET iSSI30R12H et 2 MOSFET CoolMOS IPT60T022S7 en configuration de commutateur CA
  • Détection de surintensité ultrarapide déclenchée à un courant de crête standard de 35 A
  • Mesure directe de la température de la puce CoolMOS avec arrêt à + 155 °C
  • Mise sous tension rapide
  • Arrêt rapide après protection contre les surintensités et les surchauffes
  • Pince Miller dynamique

Applications

  • Systèmes de gestion de batterie (BMS)
  • Automatisation industrielle
  • Transmission et distribution d'électricité
  • Bâtiments intelligents
  • Alimentation à découpage (SMPS)

Caractéristiques techniques

  • Plage de tension d’alimentation d’entrée de 2,5 V à 3,5 V
  • Plage d’entrée de signal numérique de 0 V à 3,3 V
  • Entrée d’alimentation haute tension de ± 320 V
  • Courant CA-15 RMS maximal de 2 A
  • Courant RMS/CC maximal de 7 A
  • Courant de crête de phase maximal de 45 A
  • Fréquence de commutation maximale de 1 Hz

Schéma

Infineon Technologies Carte d'évaluation EVAL-iSSI30R12H
Publié le: 2024-03-12 | Mis à jour le: 2024-04-30