Infineon Technologies MOSFET de puissance à super-jonction S7 CoolMOS™ 600 V

Les MOSFET de puissance à super-jonction S7 CoolMOS™ 600 V Infineon Technologies offrent un rapport qualité-prix idéal pour les applications de commutation basse fréquence. La série CoolMOS S7 dispose d’une faible valeur RDS (on) pour un MOSFET à super-jonction HT, avec une augmentation du rendement énergétique. Les MOSFET CoolMOS S7 Infineon sont optimisés pour les applications de commutation statique et à courant fort. Les modules sont idéaux pour les relais à semi-conducteurs et les conceptions de disjoncteurs, ainsi que pour le redressement de ligne dans les topologies SMPS et onduleurs.

Caractéristiques

  • La technologie CoolMOS S7 permet le 22 mΩ RDS (on) dans un faible encombrement
  • Rapport prix-performances optimisé pour les applications de commutation à basse fréquence
  • Capacité de courant à impulsion élevée
  • La broche de source Kelvin améliore les performances de commutation à courant élevé
  • Pertes de conduction minimisées (éliminent/réduisent le dissipateur de chaleur)
  • Performances accrues du système
  • Conception plus compacte et plus facile
  • Réduction du nombre de composant et/ou du TCO sur une durée de vie prolongée
  • Commutation plus rapide
  • Fiabilité renforcée et durée de vie accrue du système
  • Résistance aux chocs et aux vibrations
  • Aucun arc, rebond ou dégradation de contact au cours de la durée de vie

Applications

  • Relais à semi-conducteurs
  • Disjoncteurs
  • Informatique
  • Télécommunications
  • Alimentations sans interruption (ASI)
  • Applications solaires

Ressources supplémentaires

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