Les plus récent(e)s Semi-conducteurs
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ROHM Semiconductor BD9B306ANF-Z DC/DC Converter
08.20.2026
08.20.2026
Single synchronous buck DC/DC converter with built-in low-on-resistance power MOSFETs.
ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V
07.21.2026
07.21.2026
Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.
ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC
04.10.2026
04.10.2026
Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.
ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés
03.17.2026
03.17.2026
Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.
ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel TLR2728YFJ-C
12.11.2025
12.11.2025
Amplificateur opérationnel double CMOS à entrée/sortie rail à rail et à haute vitesse .
ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel LMRx802-LB
11.24.2025
11.24.2025
L’ampli op présente un faible niveau de bruit, une tension de décalage d’entrée faible et un faible courant de polarisation d’entrée.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RH7G03BBJFRA
11.18.2025
11.18.2025
Ce MOSFET possède une tension VDSS nominale de -40 V et une tension ID nominale (VDS = -10 V) de ±22 A.
ROHM Semiconductor Convertisseur A/N BD79124MUF-C
11.18.2025
11.18.2025
Convertisseur A/N à approximation successive polyvalent, 12 bits et 8 canaux.
ROHM Semiconductor Diode à broche RN789FM
11.18.2025
11.18.2025
Petit boîtier moulé, adapté à un circuit de contrôle automatique du gain et à un amplificateur/atténuateur d’antenne.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RJ1P10BAT
11.18.2025
11.18.2025
Ce MOSFET a une tension VDSSnominale de -100 V et une tension ID nominale (VDS = 10 V) de ±105 A.
ROHM Semiconductor Convertisseurs à circuits intégrés BM2P10xJ-ZCC/CC de type PWM
11.03.2025
11.03.2025
Ils comportent un MOSFET intégré de commutation de 730 V et fonctionnent directement sur secteur CA haute tension.
ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V
10.17.2025
10.17.2025
Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x
10.16.2025
10.16.2025
MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.
ROHM Semiconductor CI convertisseurs CC/CC de type MLI BM2P06xJ-Z
09.26.2025
09.26.2025
Conçu pour les applications d'alimentation CA-CC isolée compactes et efficaces.
ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G115MUV-EVK-003
08.27.2025
08.27.2025
Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT BM3G115MUV.
ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G107MUV-EVK-003
08.27.2025
08.27.2025
Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT au GaN BM3G107MUV.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG
08.21.2025
08.21.2025
MOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.
ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF202LB2S
08.21.2025
08.21.2025
Une diode à récupération ultra-rapide de type planaire épitaxiale en silicium, caractérisée par un faible VF et de faibles pertes de commutation.
ROHM Semiconductor Diodes PIN de qualité automobile RNxMFH
08.21.2025
08.21.2025
Diodes de qualité automobile avec un boîtier surmoulé ultra-compact adapté à la commutation à haute fréquence.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB
08.21.2025
08.21.2025
MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.
ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxAT
08.21.2025
08.21.2025
Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.
ROHM Semiconductor Diode PIN RN242SM
08.20.2025
08.20.2025
Présente une faible capacité et un boîtier moulé ultra-compact, adapté à la commutation haute fréquence.
ROHM Semiconductor EEPROM SPI BUS BR25G-5
08.19.2025
08.19.2025
Ces dispositifs sont des EEPROM en série 16 kbit avec une interface SPI BUS et 4 millions de cycles d'écriture.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal P -30 V RH7E04BBJFRA
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de qualité automobile avec une tension drain-source (VDSS) de -30 V et un courant drain (ID) de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.
ROHM Semiconductor Diodes Zener JMZV8.2B de 5 mA
08.19.2025
08.19.2025
Les dispositifs sont livrés dans un boîtier PMDE (petit moule d’alimentation) adapté aux applications de régulation de tension.
Consulter : 1 - 25 sur 218
Espressif Systems ESP32-S31-Korvo-1 Development Board
08.25.2026
08.25.2026
Multimedia development board for smart audio and HMI applications.
NXP Semiconductors FS04 High Voltage Safety PMICs
08.25.2026
08.25.2026
Automotive multi-output PMICs with ASIL B/D safety support for S32N systems.
Apex Microtechnology PA167 High Voltage Power Operational Amplifiers
08.25.2026
08.25.2026
Feature a monolithic amplifier core designed for high-density power applications.
NXP Semiconductors KITFS0400A0EVM Evaluation Board
08.25.2026
08.25.2026
Soldered FS04 evaluation board with PF53 PMICs, FRDM-KL25Z bridge, and NXP GUI support.
Infineon Technologies XENSIV™ TLE4978 Current Sensor Evaluation Boards
08.25.2026
08.25.2026
These boards simplify testing of the TLE4978 high-bandwidth, high-precision current sensors.
Infineon Technologies EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 Gate Drivers
08.25.2026
08.25.2026
Designed to enable gallium nitride (GaN) and silicon (Si) power designs on the same PCB.
Kingston M.2 2280 QLC PCIe NVMe Solid State Drives (SSDs)
08.25.2026
08.25.2026
These devices are high-performance storage solutions built on the PCIe Gen 4x4 NVMe 1.4 interface.
STMicroelectronics 5.1MP CMOS Image Sensors
08.25.2026
08.25.2026
5.1MP RGB-NIR and monochrome CMOS image sensors with hybrid shutter operation.
Espressif Systems ESP32-S31-Function-CoreBoard-1 Development Board
08.25.2026
08.25.2026
Connected AIoT development board with Wi-Fi 6, Bluetooth 5.4, IEEE 802.15.4, and Gigabit Ethernet.
Apex Microtechnology PA168 High Voltage Power Operational Amplifiers
08.25.2026
08.25.2026
Feature a monolithic amplifier core designed for high-density power applications.
onsemi 80V Single N-Channel Power MOSFETs
08.25.2026
08.25.2026
Offer low RDS(on) to minimize conduction losses & low QG and capacitance to minimize driver losses.
NXP Semiconductors FRDM-A-S32K358 Development Board
08.25.2026
08.25.2026
For general-purpose industrial and automotive applications built around the S32K358 MCU.
onsemi NXH011F120M3F2 SiC MOSFETs
08.25.2026
08.25.2026
Full-bridge EliteSiC MOSFET modules with 11mΩ on-resistance and 1200V rating.
NXP Semiconductors KITFS0400SKTEVM Evaluation Board
08.25.2026
08.25.2026
Socketed FS04 evaluation board with FRDM-KL25Z bridge and OTP programming support.
Apex Microtechnology PA169 Dual High Voltage Operational Amplifiers
08.25.2026
08.25.2026
Houses two independent 200V, 4A peak operational amplifier (PA167) circuits.
Toshiba DCL32xx00 Low Power Dual Channel Digital Isolators
08.24.2026
08.24.2026
These devices comply with UL 1577 and have a 3000Vrms withstand-isolation-voltage rating.
Toshiba TCKE1401NM 75V 6A eFuse IC
08.24.2026
08.24.2026
A high-input voltage single-input single-output eFuse IC that can be used as a reusable fuse.
Texas Instruments ISOTMP35R/-Q1 Analog Temperature Sensors
08.24.2026
08.24.2026
Reinforced isolated analog temperature sensors with fast thermal response.
ROHM Semiconductor BD9B306ANF-Z DC/DC Converter
08.20.2026
08.20.2026
Single synchronous buck DC/DC converter with built-in low-on-resistance power MOSFETs.
Infineon Technologies Capteurs d'angle magnétiquee XENSIV™ TLE49012 / TLI49012
08.20.2026
08.20.2026
Capteurs d’angle numériques de haute précision avec une latence ultra-faible et des capacités axiales et non axiales.
Renesas Electronics PTX205R NFC Controller
08.20.2026
08.20.2026
Highly integrated, mid-power NFC controller for NFC Forum applications.
Power Integrations RDK-994Q Reference Design Kit
08.19.2026
08.19.2026
35W ultra-low-profile traction inverter gate-drive or emergency power supply.
STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phase Inverter & IGBT SLLIMM
08.19.2026
08.19.2026
This device is ideal for motor drives operating up to 20kHz in hard-switching circuitry.
Toshiba TXZ+™ TMPM4L Arm® Cortex®-M4 MCUs
08.19.2026
08.19.2026
Integrates dedicated hardware and security functions for single-motor control applications.
STMicroelectronics IPS1270H Single-Channel High-Side Switch
08.19.2026
08.19.2026
Monolithic device intended for driving any load with one side connected to ground.
Consulter : 1 - 25 sur 8215
