16 Mbit Speicher-ICs

Ergebnisse: 844
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Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XIT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

NVRAM SMD/SMT FBGA-165 16 Mbit Parallel
Infineon Technologies CY7C1061GN18-15ZSXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC SRAMS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM 16 Mbit
Infineon Technologies CY7C1061GN18-15ZSXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC SRAMS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

SRAM 16 Mbit
Infineon Technologies CY7C1061GN30-10ZSXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

SRAM 16 Mbit
Infineon Technologies CY7C1061GN30-10ZXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC SRAMS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

SRAM 16 Mbit
Infineon Technologies CY7C1061GN30-10ZXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC SRAMS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM 16 Mbit
Infineon Technologies CY7C1069GN30-10ZSXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

SRAM 16 Mbit
Infineon Technologies CY7C1069GN30-10ZSXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 540
Mult.: 540

SRAM SMD/SMT 16 Mbit Parallel
Infineon Technologies CY7S1061G30-10BVXI
Infineon Technologies SRAM 16Mb Fast SRAM With PowerSnooze Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.400
Mult.: 2.400

SRAM 16 Mbit
Infineon Technologies CY7S1061G30-10BVXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

SRAM 16 Mbit
Infineon Technologies CY7S1061GE30-10BVXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

SRAM 16 Mbit
Infineon Technologies CY7S1061GE30-10BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4.800
Mult.: 4.800

SRAM 16 Mbit
Macronix MX25V1635FZNQ03-TR
Macronix NOR-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
: 4.000

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 16 Mbit SPI
Macronix MX25V1635FZNQ-T
Macronix NOR-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 5.700
Mult.: 570

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 16 Mbit SPI
Macronix MX25V1635FZNQ-TR
Macronix NOR-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
: 4.000

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 16 Mbit SPI
Renesas / Dialog AT25EU0161A-SUN-B
Renesas / Dialog NOR-Flash 16Mbit, Ultra Low Energy, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-W 208mil (Tube), Single, Dual, Quad SPI NOR flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 9.500
Mult.: 95

NOR Flash SMD/SMT 16 Mbit SPI
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SRAM SMD/SMT mBGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM SMD/SMT mBGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 96
Mult.: 96

SRAM SMD/SMT TSOP-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

SRAM SMD/SMT TSOP-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 20ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

SRAM SMD/SMT TSOP-48 16 Mbit Parallel