GaN Halbleiter

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MACOM HF-Verstärker DIE, MMIC, GaN, PA, 25W, 6.0-12.0GHz
5Auf Lager
Min.: 1
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MACOM GaN FETs GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W 9Auf Lager
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: 50

Qorvo TGA2598
Qorvo HF-Verstärker 6-12GHz PAE 31% GaN Gain 21dB IL 9dB 100Auf Lager
Min.: 50
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Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless 15Auf Lager
Min.: 1
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Power Integrations AC/DC-Wandler 45 W (85-265 VAC) 1.933Auf Lager
Min.: 1
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: 2.000

Power Integrations AC/DC-Wandler 90 W (85-265 VAC) 1.785Auf Lager
Min.: 1
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: 2.000

Infineon Technologies Gate-Treiber LOW SIDE DRIVERS 3.334Auf Lager
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: 4.000

Qorvo HF-Verstärker 8-11 GHz GaN LNA 75Auf Lager
100erwartet ab 22.10.2026
Min.: 1
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: 100

Power Integrations AC/DC-Wandler 85 W (85-265 VAC) 1.810Auf Lager
Min.: 1
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: 2.000

Qorvo HF-Verstärker 8W Reconfigurable S/X-Band PA
25Auf Lager
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: 250

Power Integrations AC/DC-Wandler 90 W (85-265 VAC) 1.980Auf Lager
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: 2.000

MACOM HF-Verstärker GaN MMIC Power Amp 28V 5.2-5.9GHz 50W
10Auf Lager
Min.: 1
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Texas Instruments Gate-Treiber 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHT 703Auf Lager
Min.: 1
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: 2.000

STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 337Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor 768Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor 768Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

STMicroelectronics Gate-Treiber High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 781Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Analog Devices HF-Verstärker 1-22GHz 15W PA
10Auf Lager
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Max.: 5

EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 2.139Auf Lager
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: 2.500

EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 900Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Drive HB 600 V G5 2.393Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Infineon Technologies GaN FETs 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2.646Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Infineon Technologies GaN FETs 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2.667Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Infineon Technologies GaN FETs 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2.353Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Bidirectional Switch 3.138Auf Lager
Min.: 1
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: 4.000