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NTBL045N065SC1

Name: onsemi NTBL045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL045N065SC1
Price: 11.43 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTBL045N065SC1

N° de fab. :

NTBL045N065SC1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS TOLL 650V

Fiche technique:

NTBL045N065SC1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PSOF-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	73 A
Rds On - Résistance drain-source:	50 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	105 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	348 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	7 ns
Transconductance directe - min.:	16 S
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	14 ns
Série:	NTBL045N065SC1
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	26 ns
Délai d'activation standard:	13 ns

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Fiche technique

NTBL045N065SC1 Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Philippines
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET EliteSiC M2

Les MOSFET EliteSiC M2 d'onsemi sont disponibles pour des tensions de 650 V, 750 V et 1 200 V. Les MOSFET M2 d'onsemi sont proposés dans différents boîtiers, notamment D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD et TO-247-4LD. Les MOSFET offrent une flexibilité de conception et de mise en œuvre. De plus, les MOSFET EliteSic M2 disposent d’une tension grille-source maximale de +22 V/-8 V, d’une faible R_DS(on) et d’un temps de résistance aux courts-circuits (SCWT) élevé.

NTBL045N065SC1 MOSFET de 33 mΩ au carbure de silicium

Le MOSFET au carbure de silicium de 33 mΩ onsemi NTBL045N065SC1 est logé dans un boîtier TOLL NTBL045N065SC1 et conçu pour être rapide et robuste. Les dispositifs présentent une intensité de champ de claquage diélectrique 10 fois plus élevée et une vitesse de saturation électronique 2 fois plus élevée. Les MOSFET présentent également une bande interdite d'énergie 3x supérieure et une conductivité thermique 3x supérieure. Tous les présentent une qualification AEC-Q101 et des options conformes aux normes PPAP, spécialement conçues et qualifiées pour des applications automobiles et industrielles.

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PRODUITS PRÉSENTÉS

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MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

MOSFET de puissance EliteSiC 650V NXVF6532M3TG01

Offre une efficacité supérieure, une commutation rapide et des performances thermiques robustes.

MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVBG050N170M1

Il dispose d'une résistance maximale R_DS(ON) de 76 mΩ à 20 V et une tension de drain à source de 1 700 V.

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Conçu pour les applications à commutation rapide, offrant des performances fiables.

MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVH4L050N170M1

Permet des performances exceptionnelles avec une RDS(on) standard de 53 mΩ à VGS = 20 V.

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	11,43 €	11,43 €
	7,62 €	76,20 €
	6,63 €	663,00 €
	6,17 €	6.170,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	5,63 €	11.260,00 €

NTBL045N065SC1

Fab. : onsemi

Description : SiC MOSFET SIC MOS TOLL 650V

Caractéristiques

Documents (4)

Fiche technique

PCN

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

Plus d'informations

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Fab. :

onsemi

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