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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Série
Conditionnement
onsemi Modules MOSFET 10M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
Fiche technique
37En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Screw Mount PIM-18 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 105 A 14.5 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 150 C 272 W NXH010P120M3F1PTG Tray
onsemi Modules MOSFET 10M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
Fiche technique
54En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Screw Mount PIM-18 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 105 A 14.5 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 150 C 272 W Tray