SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
7,87 €
309 En stock
NRND
Référence Mouser
726-IMZA65R048M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
309 En stock
Acheter
Min. : 1
Mult. : 1
Détails
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
39 A
64 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMBG65R022M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
15,67 €
643 En stock
NRND
Référence Mouser
726-IMBG65R022M1HXTM
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
643 En stock
Acheter
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine :
1.000
Détails
SMD/SMT
1 Channel
650 V
64 A
30 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
67 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R039M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
8,00 €
335 En stock
NRND
Référence Mouser
726-IMZA65R039M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
335 En stock
Acheter
Min. : 1
Mult. : 1
Détails
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
50 A
50 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
41 nC
- 55 C
+ 175 C
176 W
Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
360°
+4 images
IMBG65R072M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
6,64 €
861 En stock
NRND
Référence Mouser
726-IMBG65R072M1HXTM
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
861 En stock
Acheter
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine :
1.000
Détails
SMD/SMT
1 Channel
650 V
33 A
94 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
140 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
360°
+4 images
IMBG65R057M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
8,08 €
1.995 En stock
NRND
Référence Mouser
726-IMBG65R057M1HXTM
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
1.995 En stock
Acheter
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine :
1.000
Détails
SMD/SMT
1 Channel
650 V
39 A
74 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
161 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
360°
+4 images
IMBG65R107M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
5,80 €
753 En stock
NRND
Référence Mouser
726-IMBG65R107M1HXTM
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
753 En stock
Acheter
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine :
1.000
Détails
SMD/SMT
1 Channel
650 V
24 A
141 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
35 nC
- 55 C
+ 175 C
110 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMBG65R048M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
8,72 €
1.019 En stock
NRND
Référence Mouser
726-IMBG65R048M1HXTM
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
1.019 En stock
Acheter
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine :
1.000
Détails
SMD/SMT
1 Channel
650 V
45 A
64 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
33 nC
- 55 C
+ 175 C
183 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
360°
+6 images
IMBG65R163M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
5,36 €
1.000 En stock
NRND
Référence Mouser
726-IMBG65R163M1HXTM
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
1.000 En stock
Acheter
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine :
1.000
Détails
SMD/SMT
1 Channel
650 V
17 A
217 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
27 nC
- 55 C
+ 175 C
85 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
12,37 €
1.731 En stock
NRND
Référence Mouser
726-IMW65R027M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
1.731 En stock
Acheter
Min. : 1
Mult. : 1
Détails
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
47 A
34 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
62 nC
- 55 C
+ 150 C
189 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
9,25 €
361 En stock
NRND
Référence Mouser
726-IMW65R048M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
361 En stock
Acheter
Min. : 1
Mult. : 1
Détails
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
39 A
64 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMBG65R260M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
4,39 €
667 En stock
NRND
Référence Mouser
726-IMBG65R260M1HXTM
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
667 En stock
Acheter
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine :
1.000
Détails
SMD/SMT
1 Channel
650 V
6 A
346 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
65 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
12,46 €
465 En stock
NRND
Référence Mouser
726-IMW65R030M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
465 En stock
Acheter
Min. : 1
Mult. : 1
Détails
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
58 A
42 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
48 nC
- 55 C
+ 175 C
197 W
Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
6,85 €
314 En stock
NRND
Référence Mouser
726-IMW65R072M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
314 En stock
Acheter
Min. : 1
Mult. : 1
Détails
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
26 A
94 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R083M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
6,35 €
527 En stock
NRND
Référence Mouser
726-IMW65R083M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
527 En stock
Acheter
Min. : 1
Mult. : 1
Détails
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
24 A
111 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
19 nC
- 55 C
+ 175 C
104 W
Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
6,51 €
473 En stock
NRND
Référence Mouser
726-IMW65R107M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
473 En stock
Acheter
Min. : 1
Mult. : 1
Détails
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
20 A
142 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
75 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
12,66 €
235 En stock
NRND
Référence Mouser
726-IMZA65R030M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
235 En stock
Acheter
Min. : 1
Mult. : 1
Détails
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
53 A
42 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
48 nC
- 55 C
+ 175 C
197 W
Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R057M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
8,04 €
128 En stock
NRND
Référence Mouser
726-IMZA65R057M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
128 En stock
Acheter
Min. : 1
Mult. : 1
Détails
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
35 A
74 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
133 W
Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
13,51 €
17 En stock
1.200 Sur commande
NRND
Référence Mouser
726-IMZA65R027M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
17 En stock
1.200 Sur commande
Acheter
Min. : 1
Mult. : 1
Détails
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
59 A
34 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
63 nC
- 55 C
+ 150 C
189 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
360°
+4 images
IMBG65R030M1HXTMA1
Infineon Technologies
1.000:
6,29 €
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
NRND
Référence Mouser
726-IMBG65R030M1HXTM
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Acheter
Min. : 1.000
Mult. : 1.000
Bobine :
1.000
Détails
SMD/SMT
1 Channel
650 V
63 A
42 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
234 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
360°
+6 images
IMBG65R039M1HXTMA1
Infineon Technologies
1.000:
4,91 €
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
NRND
Référence Mouser
726-IMBG65R039M1HXTM
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Acheter
Min. : 1.000
Mult. : 1.000
Bobine :
1.000
Détails
SMD/SMT
1 Channel
650 V
54 A
51 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
41 nC
- 55 C
+ 175 C
211 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
360°
+6 images
IMBG65R083M1HXTMA1
Infineon Technologies
1.000:
3,10 €
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
NRND
Référence Mouser
726-IMBG65R083M1HXTM
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Acheter
Min. : 1.000
Mult. : 1.000
Bobine :
1.000
Détails
SMD/SMT
1 Channel
650 V
28 A
111 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
44 nC
- 55 C
+ 175 C
126 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R039M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
10,05 €
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
NRND
Référence Mouser
726-IMW65R039M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Acheter
Min. : 1
Mult. : 1
Détails
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
46 A
50 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
41 nC
- 55 C
+ 175 C
176 W
Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R057M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
7,86 €
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
NRND
Référence Mouser
726-IMW65R057M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Acheter
Min. : 1
Mult. : 1
Détails
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
35 A
74 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
133 W
Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
240:
3,67 €
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
NRND
Référence Mouser
726-IMZA65R072M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Acheter
Min. : 240
Mult. : 240
Détails
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
28 A
94 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R083M1HXKSA1
Infineon Technologies
240:
3,90 €
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
NRND
Référence Mouser
726-IMZA65R083M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Acheter
Min. : 240
Mult. : 240
Détails
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
26 A
111 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
19 nC
- 55 C
+ 175 C
104 W
Enhancement