MOSFET de puissance à tranchée CoolSiC™ M1 650 V

Les MOSFET de puissance à tranchée CoolSiC ™ M1 650 V d'Infineon Technologies combinent les caractéristiques physiques solides du carbure de silicium avec des caractéristiques uniques qui augmentent la performance, la robustesse et la facilité d'utilisation du dispositif. Les MOSFET CoolSiC M1 s'appuient sur un processus de semiconducteur à tranchée de pointe optimisé pour fournir les pertes d'application les plus faibles et la fiabilité la plus élevée en fonctionnement. Adaptés aux températures élevées et aux opérations difficiles, ces dispositifs permettent le déploiement simplifié et économique d'un système de la plus haute efficacité. 

Résultats: 25
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 309En stock
7,87 €
4,78 €
4,70 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 643En stock
Bande coupée
15,67 €
9,68 €
9,41 €
Bobine
9,16 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 64 A 30 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 335En stock
8,00 €
5,61 €
5,19 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 861En stock
Bande coupée
6,64 €
4,02 €
3,70 €
3,53 €
Bobine
3,43 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 33 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1.995En stock
Bande coupée
8,08 €
4,70 €
4,09 €
4,07 €
Bobine
3,87 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 753En stock
Bande coupée
5,80 €
3,40 €
3,10 €
2,92 €
Bobine
2,80 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 24 A 141 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1.019En stock
Bande coupée
8,72 €
4,82 €
4,52 €
4,45 €
Bobine
4,28 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 45 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1.000En stock
Bande coupée
5,36 €
2,83 €
2,48 €
2,08 €
Bobine
2,08 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 17 A 217 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 27 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1.731En stock
12,37 €
7,69 €
7,46 €
7,37 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 361En stock
9,25 €
5,03 €
4,65 €
4,62 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 667En stock
Bande coupée
4,39 €
2,28 €
2,07 €
1,81 €
Bobine
1,71 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 6 A 346 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 465En stock
12,46 €
6,99 €
6,81 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 58 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 314En stock
6,85 €
3,93 €
3,66 €
3,52 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 527En stock
6,35 €
4,02 €
3,77 €
3,45 €
3,29 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 24 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 19 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 473En stock
6,51 €
3,41 €
3,14 €
2,90 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 235En stock
12,66 €
7,11 €
6,95 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 53 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 128En stock
8,04 €
4,62 €
4,12 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 17En stock
1.200Sur commande
13,51 €
7,75 €
7,69 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Bobine
6,29 €
Min. : 1.000
Mult. : 1.000
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 63 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Bobine
4,91 €
Min. : 1.000
Mult. : 1.000
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 54 A 51 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Bobine
3,10 €
Min. : 1.000
Mult. : 1.000
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 28 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 44 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
10,05 €
5,51 €
5,11 €
5,08 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 46 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
7,86 €
5,33 €
4,53 €
4,05 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
3,67 €
3,66 €
Min. : 240
Mult. : 240
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
3,90 €
3,41 €
Min. : 240
Mult. : 240
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 26 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 19 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement