TF412 n-Kanal-JFET

Der onsemi TF412 n-Kanal-JFET wurde für Niederfrequenz-Universalverstärker und Impedanzwandler-Applikationen konzipiert. Der TF412 von onsemi wird mit einer maximalen Spannung von 30 V und einem Strom von 10 mA, mit einem beeindruckend kleinen Eingangs-Gate-Source-Ableitstrom (I_GSS) von -1,0 nA (V_GS = -20 V, V_DS = 0 V) und einer typischen Eingangskapazität (C_iss) von 4 pF (V_DS = 10 V, V_GS = 0 V, f = 1 MHz). Dieser JFET von onsemi ist in einem ultra-kleinen SOT-883-Gehäuse (1,0 mm × 0,6 mm × 0,4 mm) untergebracht und unterstützt die Produktminiaturisierung. Er entspricht den halogenfreien Umweltstandards und ist damit eine ausgezeichnete Wahl für kompakte und umweltfreundliche Designs.