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NTBLS0D8N08XTXG

Name: onsemi NTBLS0D8N08XTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS0D8N08XTXG
Price: 7.11 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

863-NTBLS0D8N08XTXG

N° de fab. :

NTBLS0D8N08XTXG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

Fiche technique:

NTBLS0D8N08XTXG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	457 A
Rds On - Résistance drain-source:	790 uOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.6 V
Qg - Charge de grille:	174 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	325 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	20 ns
Transconductance directe - min.:	485 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15 ns
Série:	NTBLS0D8N08X
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	70 ns
Délai d'activation standard:	34 ns

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Fiche technique

NTBLS0D8N08XTXG Fiche technique

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Japon
Pays d'origine de l'assemblage:: Philippines
Pays de diffusion:: Japon

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Technologie PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

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PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

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MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

MOSFET NTMFD0D9N02P1E

MOSFET à canal N double conçu avec une faible R_g pour les applications à commutation rapide.

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MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Disponibilité

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16.000

19/02/2027 attendu
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Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

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Minimum : 1 Multiples : 1 Maximum : 6000

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	7,11 €	7,11 €
	4,83 €	48,30 €
	3,57 €	357,00 €
	3,46 €	1.730,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	3,23 €	6.460,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

NTBLS0D8N08XTXG

Fab. : onsemi

Description : MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

Caractéristiques

Documents (1)

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MOSFET NTBLS0D8N08X monocanal N 80 V

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Fab. :

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