FET GaN eMode

Les transistors FET GaN eMode Nexperia sont disponibles dans une plage de tension allant de 100 V à 650 V avec des performances de commutation supérieures. Ces transistors FET GaN offrent des capacités de transition rapides grâce à leurs faibles valeurs de Q_C et Q_OSS, ce qui se traduit par une excellente efficacité énergétique.