MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVBG050N170M1

Le MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVBG050N170M1 d'onsemi fait partie de la famille de MOSFET SiC planaires M1 1 700 V optimisée pour les applications à commutation rapide. Ce MOSFET dispose d'une résistance maximale R_DS(ON) de 76 mΩ à 20 V, d'une tension de drain à source de 1 700 V, d'un courant de drain continu de 50 A et d'une charge de grille ultra-faible (Q_G(tot) standard = 107 nC). Le MOSFET SiC NVBG050N170M1 fonctionne avec une capacité de sortie efficace faible (C_oss standard = 97 pF) et une tension de grille à source de -15 V/+25 V. Ce MOSFET SiC est testé en avalanche à 100 % et est disponible dans un boîtier D2PAK-7L. Le MOSFET SiC NVBG050N170M1 est conforme à la directive RoHS sans plomb, sans halogène et exempté de la directive RoHS (catégorie 7a). Les applications standard incluent les convertisseurs Flyback, les convertisseurs CC-CC automobiles pour véhicules électriques/véhicules hybrides et les chargeurs carte automobiles (OBC).