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MRF1K50NR5

Name: NXP MRF1K50NR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-MRF1K50NR5
Price: 307.63 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

841-MRF1K50NR5

Herst.- Nr.:

MRF1K50NR5

Herst.:

NXP Semiconductors

Beschreibung:

MOSFET HF-Transistoren Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

MRF1K50NR5 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	NXP
Produktkategorie:	MOSFET HF-Transistoren
RoHS:
Transistorpolung:	N-Channel
Technologie:	Si
Id - Drain-Gleichstrom:	36 A
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	133 V
Betriebsfrequenz:	1.8 MHz to 500 MHz
Verstärkung:	23 dB
Ausgangsleistung:	1.5 kW
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	OM-1230-4
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	NXP Semiconductors
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	33.5 S
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Pd - Verlustleistung:	2.941 kW
Produkt-Typ:	RF MOSFET Transistors
Serie:	MRF1K50N
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source-Spannung:	+ 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.7 V
Artikel # Aliases:	935318822578
Gewicht pro Stück:	5,281 g

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Datenblatt

MRF1K50NR5 Datenblatt (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2026-3-31 (PDF)

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Vereinigte Staaten

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MRF1K50N 1500W HF-Leistungstransistor

Die NXP MRF1K50H 1500W-HF-Leistungs-Transistoren kombinieren hohe HF-Ausgangsleistung, überlegene Robustheit und thermische Leistung. Diese LDMOS-Geräte verfügen über umspritzte Kunststoffgehäuse, die gegenüber dem keramischen MRF1K50H einen um bis zu 30% niedrigeren Wärmewiderstand bieten. Die Kunststoffverpackungstechnologie von NXP hilft mehr Leistung von den HF-Transistoren zu extrahieren, während die Herstellbarkeit der Verstärker durch engere Maßtoleranzen und bessere Lötverbindungen vereinfacht wird.

Die NXP MRF1K50N und MRF1K50GNR5 HF-Leistungstransistoren wurden entwickelt, um 1,50kW CW bei 50V zu liefern und die Zahl der Transistoren in den Hochleistungs-HF-Verstärkern zu verringern. Das Eingangs- und Ausgangsdesign dieser Geräte ermöglicht einen breiten Frequenzbereich von 1,8 bis 500 MHz.
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MRF1K50NR5

Herst.: NXP Semiconductors

Beschreibung: MOSFET HF-Transistoren Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

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