GEN3 1.200-V-SiC-MOSFET Diskrete Bauteile

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.

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SemiQ SiC-MOSFETs Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
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389Auf Lager
60erwartet ab 28.08.2026
Min.: 1
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SemiQ SiC-MOSFETs Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
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50Auf Lager
30erwartet ab 28.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SemiQ SiC-MOSFETs Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
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135Auf Lager
60Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SemiQ SemiQ Gen3 1200V 14m SiC MOSFET TO-247-4L
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SemiQ SemiQ Gen3 1200V 17m SiC MOSFET TO-247-4L
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SemiQ SemiQ Gen3 1200V 34m SiC MOSFET TO-247-4L
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SemiQ SiC-MOSFETs Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
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Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SemiQ SemiQ Gen3 1200V 16m SiC MOSFET TSPak
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SemiQ SemiQ Gen3 1200V 20m SiC MOSFET TSPak
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SemiQ SemiQ Gen3 1200V 40m SiC MOSFET TSPak
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SemiQ SemiQ Gen3 1200V 40mO SiC MOSFET TO-247-3L
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SemiQ SemiQ Gen3 1200V 72mO SiC MOSFET TO-247-4L
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SemiQ SemiQ Gen3 1200V 80m SiC MOSFET TO-263-7L
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SemiQ SemiQ Gen3 1200V 80m SiC MOSFET TSPak
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1