Transistors de puissance RF au GaN QPD1426/QPD1426L
Les transistors de puissance RF au GaN QPD1426/QPD1426L de Qorvo sont des HEMT discrets GaN-on-SiC de 220 W fonctionnant de 1,2 GHz à 1,4 GHz, offrant généralement une puissance de sortie saturée de 53,5 dBm avec un gain de signal large de 17 dB et une efficacité de drain de 70 %.
