RBRxx40ATL Schottky-Barriere-Dioden mit niedriger VF

ROHM Semiconductor RBRxx40ATL Schottky-Barriere-Dioden sind gängige Kathoden-Dioden mit niedriger VF und 40 V Gleichspannung (VR). Diese Dioden werden unter Verwendung einer Silizium-Epitaxial-Planar-Bauweise hergestellt und sind entweder in TO-263S- (DCOPAK) — oder TO-252- (DPAK) -Gehäusen verfügbar. Die RBRxx40ATL Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor bieten eine hohe Zuverlässigkeit und werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C betrieben. Diese Schottky-Barriere-Dioden eignen sich hervorragend für Schaltnetzteile.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
Technologie
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Schottky Barrier Diode Low VF, 40V, 30A, TO-263S (D2PAK)
Datenblatt
785Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 40 V 620 mV 100 A 360 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Schottky Barrier Diode Low VF, 40V, 10A, TO-263S (D2PAK)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 40 V 620 mV 50 A 120 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Schottky Barrier Diode Low VF, 40V, 20A, TO-263S (D2PAK)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 40 V 620 mV 100 A 240 uA + 150 C Reel