FFSP0865B

onsemi
863-FFSP0865B
FFSP0865B

Fab. :

Description :
Diodes Schottky SiC SIC DIODE TO220 650V

Fiche technique:
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onsemi
Catégorie du produit: Diodes Schottky SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
8 A
650 V
1.39 V
56 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
650 V
FFSP0865B
Tube
Marque: onsemi
Pd - Dissipation d’énergie : 73 W
Type de produit: SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Diodes & Rectifiers
Nom commercial: EliteSiC
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

PCN

Codes de conformité
CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Corée, République de
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

FFSP0865B 650V 8A SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP0865B 650V, 8A Silicon Carbide Schottky Diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability. onsemi FFSP0865B SiC Diodes feature temperature-independent switching characteristics, no reverse recovery current, and excellent thermal performance. Additional benefits include the highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The FFSP0865B 650V and 8A SiC Schottky Diodes come in a TO-220-2LD package.

Diodes EliteSiC D2

Les diodes EliteSiC D2  d'onsemi constituent une gamme de diodes à hautes performances conçues pour les applications nécessitant une tension nominale de 650 V. La D2  d'onsemi est disponible en divers boîtiers, notamment DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2 et TO-247-3. Ces diodes affichent une faible charge capacitive (QC) et sont optimisées pour une commutation à haute vitesse avec une tension directe faible. Ces caractéristiques rendent les diodes idéales pour la correction du facteur de puissance (PFC) et les applications de redressement de sortie.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

En stock: 1.138

Stock:
1.138 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
28 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
3,65 € 3,65 €
1,86 € 18,60 €
1,60 € 160,00 €
1,33 € 665,00 €
1,32 € 1.320,00 €

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