Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Qc x Vf).

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Configuration
If - Courant direct
Vrrm - Tension inverse répétitive
Vf - Tension directe
Ifsm - Courant de surtension direct
Ir - Courant inverse
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
Infineon Technologies Diodes Schottky SiC SIC DIODES
Fiche technique
1.724En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.5 V 54 A 300 nA - 55 C + 175 C XDH06G65 Tube
Infineon Technologies Diodes Schottky SiC SIC DIODES
Fiche technique
587En stock
1.500Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 82 A 500 nA - 55 C + 175 C XDH10G65 Tube
Infineon Technologies Diodes Schottky SiC SIC DIODES
Fiche technique
1.747En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-2 Single 16 A 650 V 1.5 V 124 A 850 nA - 55 C + 175 C XDH16G65 Tube

Infineon Technologies Diodes Schottky SiC SIC DIODES
Fiche technique
72028/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 Single 40 A 650 V 1.5 V 182 A 2.2 uA - 55 C + 175 C XDW40G65 Tube
Infineon Technologies Diodes Schottky SiC SIC DIODES
Fiche technique
446En stock
2.50001/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-2 Single 4 A 650 V 1.5 V 38 A 200 nA - 55 C + 175 C XDH04G65 Tube

Infineon Technologies Diodes Schottky SiC SIC DIODES
Fiche technique
160En stock
48017/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 Single 12 A 650 V 1.5 V 71 A 600 nA - 55 C + 175 C XDW12G65 Tube

Infineon Technologies Diodes Schottky SiC SIC DIODES
Fiche technique
Délai de livraison 52 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 Single 20 A 650 V 1.5 V 103 A 1.1 uA - 55 C + 175 C XDW20G65 Tube

Infineon Technologies Diodes Schottky SiC SIC DIODES
Fiche technique
640Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 Single 40 A 650 V 1.5 V 182 A 2.2 uA - 55 C + 175 C XDW40G65 Tube
Infineon Technologies Diodes Schottky SiC SIC DIODES
Fiche technique
515Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.5 V 68 A 400 nA - 55 C + 175 C XDH08G65 Tube