MJD Medium Automobil-Leistungstransistoren

Die MJD Medium Automobil-Leistungstransistoren von Diodes Inc. sind bipolare Transistoren, die AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig sind und in IATF16949-zertifizierten Anlagen gefertigt werden. Jedes Bauelement verfügt über eine Kollektor-Emitter-Durchschlagspannung von 50 V oder 100 V (Minimum). Die MJD Medium Automobil-Leistungstransistoren von Diodes Inc. verfügen über ein TO 252-Gehäuse (DPAK) und sind ideal für Leistungsschalt- oder Verstärkungsanwendungen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Verpackung
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Datenblatt
4.777Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 290
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.5 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Datenblatt
908Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 7 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Datenblatt
275Auf Lager
2.500Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 490
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 50 V 70 V 7 V 300 mV 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Datenblatt
8Auf Lager
5.000erwartet ab 22.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.2 V 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape