Mémoire DDR5 basée sur le nœud 1γ DRAM
Il s’agit d’une mémoire DDR5 Micron fabriquée sur le nœud DRAM 1γ (1‑gamma) de 6e génération (classe 10 nm), conçue pour répondre aux exigences des CPU de nouvelle génération.γ Ce composant offre des performances et une efficacité énergétique supérieures en s’appuyant sur les nœuds DRAM précédents 1α (1-alpha) et 1β (1-beta) de Micron. La DRAM 1γ améliore les performances pour prendre en charge l’extension des capacités de calcul sur différentes configurations mémoire, en satisfaisant les exigences des charges de travail d’IA à venir. Le module réduit la consommation énergétique grâce à une technologie CMOS à grille métallique High‑K de nouvelle génération et à des optimisations de conception Cette combinaison réduit la consommation d’énergie de plus de 20 % et améliore les profils thermiques La mémoire DDR5 basée sur les nœuds DRAM de Micron 1γ offre également >30 % de bits de sortie par plaquette par rapport à la génération précédente. Les applications appropriées incluent les appareils mobiles, les centres de données, les solutions automobiles intégrant de l’IA en périphérie (Edge) ainsi que les ordinateurs personnels équipés de fonctions d’IA.
