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IGKA23S101SXTSA1

Name: Infineon IGKA23S101SXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGKA23S101SXTSA1
Price: 1.88 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

726-IGKA23S101SXTSA1

N° de fab. :

IGKA23S101SXTSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

FET GaN CoolGaN Transistor 100 V G3 in WLCSP 0.9x0.9, 185 m

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

IGKA23S101SXTSA1 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SG-UFWLB-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	2.2 A
Rds On - Résistance drain-source:	230 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	6.5 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.9 V
Qg - Charge de grille:	0.2 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2.2 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolGaN
Technologie:	GaN
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Produit:	Transistors
Type de produit:	GaN FETs
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	CoolGaN Transistor
Raccourcis pour l'article N°:	IGKA23S101S SP006154174

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Fiche technique

IGKA23S101SXTSA1 Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Allemagne
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Transistors CoolGaN™ G3 100 V

Les transistors CoolGaN™ 100 V G3 d’Infineon Technologies sont des transistors de puissance en mode amélioré (e-mode) normalement désactivés, dans un boîtier compact. Ces transistors disposent d'une faible résistance à l'état passant, ce qui fait des dispositifs un choix idéal pour des performances fiables dans les applications exigeantes à courant élevé et à haute tension. Les transistors CoolGaN sont conçus pour améliorer la gestion thermique. Les applications typiques incluent des solutions d'amplificateur audio, du photovoltaïque, des infrastructures de télécommunications, l'e-mobilité, la robotique et les drones.

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01/10/2026 attendu
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	0,512 €	5.120,00 €

IGKA23S101SXTSA1

Fab. : Infineon Technologies

Description : FET GaN CoolGaN Transistor 100 V G3 in WLCSP 0.9x0.9, 185 m

Caractéristiques

Documents (1)

Fiche technique

Produit et conformité commerciale

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Transistors CoolGaN™ G3 100 V

PRODUITS PRÉSENTÉS INFINEON

Disponibilité

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Fab. :

Infineon Technologies

Description :

FET GaN CoolGaN Transistor 100 V G3 in WLCSP 0.9x0.9, 185 m

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