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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1.590Auf Lager
1.000Auf Bestellung
Cut-Tape
33,23 €
27,12 €
23,96 €
23,82 €
Reel
22,37 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 2.011Auf Lager
Cut-Tape
23,89 €
16,50 €
16,46 €
15,56 €
Reel
14,52 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 245Auf Lager
Cut-Tape
15,32 €
11,67 €
9,73 €
8,67 €
Reel
8,09 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1.603Auf Lager
Cut-Tape
11,64 €
7,10 €
6,97 €
Reel
6,63 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 502Auf Lager
1.000erwartet ab 06.05.2027
Cut-Tape
8,07 €
5,51 €
4,54 €
4,05 €
Reel
3,79 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 3.605Auf Lager
2.000Auf Bestellung
Cut-Tape
4,53 €
2,36 €
2,14 €
1,89 €
Reel
1,88 €
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1.000
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 79Auf Lager
1.000erwartet ab 31.12.2026
Cut-Tape
9,81 €
6,94 €
5,78 €
5,15 €
Reel
4,82 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 227Auf Lager
2.000erwartet ab 03.12.2026
Cut-Tape
7,06 €
4,97 €
4,02 €
3,58 €
Reel
3,16 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 587Auf Lager
4.000Auf Bestellung
Cut-Tape
5,56 €
3,64 €
2,68 €
2,38 €
Reel
2,11 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
1.999erwartet ab 19.11.2026
Cut-Tape
17,48 €
13,05 €
11,29 €
10,69 €
Reel
9,98 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
2.000erwartet ab 03.12.2026
Cut-Tape
6,14 €
4,11 €
3,30 €
2,93 €
Reel
2,60 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement