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LTC4296AUK-1#PBF

Name: Analog Devices Inc. LTC4296AUK-1#PBF
Brand: Analog Devices
SKU: 584-LTC4296AUK-1#PBF
Price: 21.23 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

584-LTC4296AUK-1#PBF

N° de fab. :

LTC4296AUK-1#PBF

Fab. :

Analog Devices

Description :

CI commutateur d'alimentation - POE / LAN Power-over-Data_Lines PSE Controller

Fiche technique:

LTC4296AUK-1#PBF Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Analog Devices Inc.
Catégorie du produit:	CI commutateur d'alimentation - POE / LAN
RoHS:
Type:	Power Sourcing Equipment - PSE
Standard:	802.3cg
Tension d'alimentation de fonctionnement:	6 V to 60 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	QFN-48
Conditionnement:	Tray
Marque:	Analog Devices
Sensibles à l’humidité:	Yes
Nombre de canaux:	5 Channel
Courant d'alimentation de fonctionnement:	80 mA
Alimentation en sortie:	52 W, 79 W
Type de produit:	Power Switch ICs - POE / LAN
Série:	LTC4296-1
Nombre de pièces de l'usine:	260
Sous-catégorie:	Switch ICs

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Attributs sélectionnés: 0

                        
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Fiche technique

LTC4296AUK-1#PBF Fiche technique

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Codes de conformité

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Thaïlande
Pays d'origine de l'assemblage:: Thaïlande
Pays de diffusion:: Taïwan

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Contrôleur PSE SPoE 5 ports LTC4296-1

Le contrôleur PSE SPoE 5 ports LTC4296-1 d'Analog Devices Inc. est un contrôleur d'équipement source d'alimentation via Ethernet à paire unique (SPoE), cinq ports, conforme IEEE 802.3cg. Le SPoE simplifie la conception et l'installation du système avec des données d'alimentation et Ethernet normalisées sur un câble à paire unique. Le LTC4296-1 est conçu pour assurer l'interopérabilité avec les dispositifs alimentés en 802.3 cg (PD) dans des systèmes 24 V ou 54 V. Le LTC4296-1 fournit la puissance à l’aide de transistors MOSFET à effet de champ à oxyde métallique de type N (MOSFET canal N) externes à faible résistance à l’état passant drain-source (R_DS(ON)), ce qui minimise la chute de tension et garantit la robustesse des applications.