SiC MOSFET – Mouser Luxembourg

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D²PAK-3, D²PAK-7, D²PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Résultats: 22

Filtres appliqués:

Style de montage

Package/Boîte

Vds - Tension de rupture drain-source

Id - Courant continu de fuite

Rds On - Résistance drain-source

Vgs - Tension grille-source

Vgs th - Tension de seuil grille-source

Qg - Charge de grille

Température de fonctionnement min.

Pd - Dissipation d’énergie

Qualification

Tout réinitialiser

Rechercher parmi les résultats

En stock

Normalement en stock

Actif

Nouveaux produits

RoHS : conforme

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	Style de montage	Package/Boîte	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Rds On - Résistance drain-source	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Qg - Charge de grille	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Mode canal	Qualification	Nom commercial
SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-4 UF3C065040K4S onsemi 1: 17,03 € 3.275En stock	Fab. Numéro de référence UF3C065040K4S Référence Mouser 431-UF3C065040K4S	onsemi	SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-4 En savoir plus sur onsemi uf3c sic fets	Fiche technique	3.275En stock	17,03 € 10,19 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	54 A	52 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	43 nC	- 55 C	+ 175 C	326 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO263-7 UF3C120150B7S onsemi 1: 10,81 € 357En stock	Fab. Numéro de référence UF3C120150B7S Référence Mouser 431-UF3C120150B7S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO263-7 En savoir plus sur onsemi uf3c sic d2pak fets	Fiche technique	357En stock	Bande coupée 10,81 € 6,30 € 5,81 € 5,50 € Bobine 5,50 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	17 A	150 mOhms	- 25 V, + 25 V	4.4 V	25.7 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement		SiC FET
SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-3 UF3C065080K3S onsemi 1: 10,59 € 639En stock	Fab. Numéro de référence UF3C065080K3S Référence Mouser 431-UF3C065080K3S	onsemi	SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-3 En savoir plus sur onsemi uf3c sic fets	Fiche technique	639En stock	10,59 € 6,06 € 5,62 € 5,38 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	31 A	100 mOhms	- 12 V, + 12 V	6 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	190 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220-3 UF3C065030T3S onsemi 1: 22,07 € 902En stock	Fab. Numéro de référence UF3C065030T3S Référence Mouser 431-UF3C065030T3S	onsemi	SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220-3 En savoir plus sur onsemi uf3c sic fets	Fiche technique	902En stock	22,07 € 14,19 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-220-3	1 Channel	650 V	85 A	35 mOhms	- 25 V, + 25 V	5 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	441 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-3 UF3C065040K3S onsemi 1: 13,12 € 1.166En stock	Fab. Numéro de référence UF3C065040K3S Référence Mouser 431-UF3C065040K3S	onsemi	SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-3 En savoir plus sur onsemi uf3c sic fets	Fiche technique	1.166En stock	13,12 € 9,95 € 9,39 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	54 A	42 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	326 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO247-4 UF3C120040K4S onsemi 1: 25,38 € 623En stock	Fab. Numéro de référence UF3C120040K4S Référence Mouser 431-UF3C120040K4S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO247-4 En savoir plus sur onsemi uf3c sic fets	Fiche technique	623En stock	25,38 € 16,85 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	65 A	45 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	429 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24 UF3C120040K3S onsemi 1: 25,27 € 227En stock	Fab. Numéro de référence UF3C120040K3S Référence Mouser 431-UF3C120040K3S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24 En savoir plus sur onsemi uf3c sic fets	Fiche technique	227En stock	25,27 € 18,86 € 16,90 € 16,85 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	65 A	45 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	429 W	Enhancement		SiC FET
SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220-3 UF3C065080T3S onsemi 1: 10,08 € 466En stock	Fab. Numéro de référence UF3C065080T3S Référence Mouser 431-UF3C065080T3S	onsemi	SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220-3 En savoir plus sur onsemi uf3c sic fets	Fiche technique	466En stock	10,08 € 5,94 € 5,49 € 5,12 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-220-3	1 Channel	650 V	31 A	100 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	190 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO247-3 UF3C120080K3S onsemi 1: 18,20 € 1.142En stock	Fab. Numéro de référence UF3C120080K3S Référence Mouser 431-UF3C120080K3S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO247-3 En savoir plus sur onsemi uf3c sic fets	Fiche technique	1.142En stock	18,20 € 11,10 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	33 A	100 mOhms	- 25 V, + 25 V	6 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	254.2 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-4 UF3C065080K4S onsemi 1: 10,93 € 583En stock	Fab. Numéro de référence UF3C065080K4S Référence Mouser 431-UF3C065080K4S	onsemi	SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-4 En savoir plus sur onsemi uf3c sic fets	Fiche technique	583En stock	10,93 € 6,23 € 5,77 € 5,56 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	31 A	100 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	190 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-7 UF3C065080B7S onsemi 1: 11,35 € 199En stock	Fab. Numéro de référence UF3C065080B7S Référence Mouser 431-UF3C065080B7S	onsemi	SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-7 En savoir plus sur onsemi uf3c sic d2pak fets	Fiche technique	199En stock	Bande coupée 11,35 € 6,73 € 6,28 € 5,94 € Bobine 5,94 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	650 V	27 A	85 mOhms	- 25 V, + 25 V	6 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	136.4 W	Enhancement		SiC FET
SiC MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO263-7 UF3C120400B7S onsemi 1: 7,96 € 676En stock 80023/11/2026 attendu	Fab. Numéro de référence UF3C120400B7S Référence Mouser 431-UF3C120400B7S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO263-7 En savoir plus sur onsemi uf3c sic d2pak fets	Fiche technique	676En stock 80023/11/2026 attendu	Bande coupée 7,96 € 4,36 € 4,01 € 3,78 € Bobine 3,78 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 Max. : 800 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	5.9 A	410 mOhms	- 25 V, + 25 V	6 V	22.5 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		SiC FET
SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO263-7 UF3C170400B7S onsemi 1: 10,01 € 36En stock 1.600Sur commande	Fab. Numéro de référence UF3C170400B7S Référence Mouser 431-UF3C170400B7S	onsemi	SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO263-7 En savoir plus sur onsemi uf3c sic d2pak fets	Fiche technique	36En stock 1.600Sur commande Dates d'expédition sur commande N° de fab. : UF3C170400B7S Stock: 36 Expédition possible immédiatement Sur commande: 800 16/10/2026 attendu 800 21/12/2026 attendu Délai usine : 22 Semaines	Bande coupée 10,01 € 7,08 € 5,25 € 4,97 € Bobine 4,97 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 Max. : 800 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.7 kV	7.6 A	410 mOhms	- 25 V, + 25 V	6 V	23.1 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		SiC FET
SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO263-7 UF3C120080B7S onsemi 1: 16,54 € 615En stock	Fab. Numéro de référence UF3C120080B7S Référence Mouser 431-UF3C120080B7S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO263-7 En savoir plus sur onsemi uf3c sic d2pak fets	Fiche technique	615En stock	Bande coupée 16,54 € 10,37 € 9,82 € Bobine 9,82 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	28.8 A	85 mOhms	- 25 V, + 25 V	6 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	190 W	Enhancement		SiC FET
SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO247-4 UF3C120080K4S onsemi 1: 18,21 € 661En stock	Fab. Numéro de référence UF3C120080K4S Référence Mouser 431-UF3C120080K4S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO247-4 En savoir plus sur onsemi uf3c sic fets	Fiche technique	661En stock	18,21 € 11,11 €	Min. : 1 Mult. : 1 Max. : 600	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	33 A	100 mOhms	- 25 V, + 25 V	6 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	254.2 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO247-3 UF3C170400K3S onsemi 1: 10,18 € 477En stock 60016/11/2026 attendu	Fab. Numéro de référence UF3C170400K3S Référence Mouser 431-UF3C170400K3S	onsemi	SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO247-3 En savoir plus sur onsemi uf3c sic fets	Fiche technique	477En stock 60016/11/2026 attendu	10,18 € 5,74 € 5,31 € 5,04 €	Min. : 1 Mult. : 1 Max. : 600	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.7 kV	7.6 A	1.07 Ohms	- 25 V, + 25 V	6 V	27.5 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO247-4 UF3C120150K4S onsemi 1: 12,01 € 63En stock	Fab. Numéro de référence UF3C120150K4S Référence Mouser 431-UF3C120150K4S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO247-4 En savoir plus sur onsemi uf3c sic fets	Fiche technique	63En stock	12,01 € 6,71 € 6,49 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	18.4 A	330 mOhms	- 25 V, + 25 V	3.5 V	25.7 nC	- 55 C	+ 175 C	166.7 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-4 UF3C065030K4S onsemi 1: 23,29 € 1.20019/02/2027 attendu	Fab. Numéro de référence UF3C065030K4S Référence Mouser 431-UF3C065030K4S	onsemi	SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-4 En savoir plus sur onsemi uf3c sic fets	Fiche technique	1.20019/02/2027 attendu	23,29 € 18,64 € 16,13 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	85 A	35 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	441 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO220-3 UF3C065040T3S onsemi 1: 16,81 € 1.00021/12/2026 attendu	Fab. Numéro de référence UF3C065040T3S Référence Mouser 431-UF3C065040T3S	onsemi	SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO220-3 En savoir plus sur onsemi uf3c sic fets	Fiche technique	1.00021/12/2026 attendu	16,81 € 10,03 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-220-3	1 Channel	650 V	54 A	52 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	326 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO247-3 UF3C120400K3S onsemi 1: 9,50 € 30008/03/2027 attendu	Fab. Numéro de référence UF3C120400K3S Référence Mouser 431-UF3C120400K3S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO247-3 En savoir plus sur onsemi uf3c sic fets	Fiche technique	30008/03/2027 attendu	9,50 € 5,18 € 4,78 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	7.6 A	1.07 Ohms	- 25 V, + 25 V	6 V	27.5 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-3 UF3C065030K3S onsemi 600: 14,28 € Délai de livraison produit non stocké 32 Semaines	Fab. Numéro de référence UF3C065030K3S Référence Mouser 431-UF3C065030K3S	onsemi	SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-3 En savoir plus sur onsemi uf3c sic fets	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 32 Semaines	14,28 €	Min. : 600 Mult. : 600	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	85 A	35 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	441 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3 UF3C065030B3 onsemi 1: 21,73 € Délai de livraison produit non stocké 53 Semaines Fin de vie	Fab. Numéro de référence UF3C065030B3 Référence Mouser 431-UF3C065030B3 Fin de vie	onsemi	SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3 En savoir plus sur onsemi uf3c sic d2pak fets	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 53 Semaines	Bande coupée 21,73 € 14,70 € Bobine 14,70 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	1 Channel	650 V	65 A	27 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 25 C	+ 175 C	242 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET

UF3C SiC FETs

Filtres appliqués:

Bureau du Service Client

Société

Ressources

Assistance